Epitaxie sélective du contact de base d'un transistor HBT-GaAsSb en vue de hautes performances [...]

CEA; Grenoble; Sur place; EUR 40 000 - 60 000; Plein temps

Résumé du poste

Une organisation de recherche en technologie recrute un doctorant pour travailler sur l'épitaxie de transistors HBT à Grenoble. Le candidat idéal possède un Master en Physique des semiconducteurs et sera impliqué dans des recherches avancées sur des performances fréquentielles. Les responsabilités incluent l'identification de matériaux et la conduite d'expérimentations techniques sur des structures de bande et des paramètres électriques.

Qualifications

• Maîtrise des méthodes d'épitaxie.
• Compétences en analyse des structures de bande.
• Capacité à réaliser des expérimentations techniques.

Responsabilités

• Identifier le matériau optimal pour les transistors HBT.
• Conduire des expérimentations avec l'équipe d'épitaxie.
• Fabriquer des structures de test technologiques.

Connaissances

Physique des semi-conducteurs

Microélectronique

Analyse avancée (ToF-SIMS, HR-TEM, EDX)

Formation

Ingénieur/Master2 en Physique du semiconducteurs et Microélectronique

Outils

Modélisations des structures de bandes

Description du poste

Overview

Description du sujet de thèse

Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Epitaxie sélective du contact de base d'un transistor HBT-GaAsSb en vue de hautes performances fréquentielles

Contrat

Thèse

Description de l'offre

Avec l'essor des réseaux sans fil et l'arrivée de la 6G, le développement de systèmes de communication plus performants devient essentiel. Les fréquences au-delà de 140 GHz représentent un domaine prometteur, où les technologies actuelles reposent sur des semi-conducteurs avancés, tels que l'InP, offrant des performances supérieures aux solutions SiGe. Toutefois, les composants III-V restent coûteux, fabriqués sur de petits substrats (100 mm pour l'InP) et incompatibles avec les lignes de production silicium, qui garantissent un meilleur rendement industriel.

Dans ce contexte, le CEA-LETI, en collaboration avec le CNRS-LTM, développe une nouvelle filière de transistors HBT dont la couche de base en antimoniures a déjà démontré des performances fréquentielles supérieures au THz. Pour assurer une intégration compatible avec les procédés de fabrication Si-CMOS, une nouvelle approche de contact ohmique doit être mise en place. Cela implique une re-croissance épitaxiale sélective d'un matériau semi-conducteur adapté sur la couche de base du transistor HBT-GaAsSb.

Le doctorant aura pour mission d'identifier le matériau optimal répondant aux critères définis, en s'appuyant sur des expérimentations menées avec l'équipe d'épitaxie, des analyses avancées (ToF-SIMS, HR-TEM, EDX) et des modélisations des structures de bandes des hétérojonctions formées. Ce travail sera complété par la fabrication de structures de test technologiques, permettant d'extraire les paramètres électriques essentiels à l'optimisation des performances DC et RF du transistor HBT.

Université / école doctorale

Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS) – Université Grenoble Alpes

Localisation du sujet de thèse

Site
Grenoble

Critères candidat

Formation recommandée
Ingénieur/Master2 en Physique du semiconducteurs et Microélectronique

Demandeur

Disponibilité du poste
01/09/2025

Personne à contacter par le candidat

BOUTRY Hervé [e-mail]
CEA
DRT/DCOS//LTA
17 rue des martyrs, 38054 Grenoble
[phone]

Tuteur / Responsable de thèse

BARON Thierry [e-mail]
CNRS
LTM/CNRS-UJF Materiaux - Epitaxie
LTM/CNRS
CEA Grenoble 17 rue des Martyrs 38504 Grenoble cedex 09
0438783986

En savoir plus

https://www.leti-cea.fr/cea-tech/leti/Pages/Accueil.aspx
https://www.pepr-electronique.fr/projet_cible_t-rex-6g/