Offre de thèse : Nouveau dispositif électronique de puissance en GaN supportant des tensions su[...]

CNRS; Toulouse; Sur place; EUR 60 000 - 80 000; Plein temps

Résumé du poste

Un institut de recherche propose une thèse sur le développement de dispositifs électroniques en GaN, avec un salaire minimum de 2300 € mensuel. Les candidats doivent avoir un bon niveau en physique des composants et être motivés pour la recherche. Le poste est basé à Toulouse et nécessite de travailler en alternance avec une université canadienne. La durée du contrat est de 36 mois.

Prestations

Frais de déplacement couverts entre laboratoires

Formation en cotutelle

Qualifications

• Doit avoir de bonnes bases en physique des composants et des semiconducteurs.
• Être très motivé(e) par la recherche expérimentale.
• Capacité à travailler en équipe et de manière autonome.

Responsabilités

• Concevoir, fabriquer et caractériser des transistors HEMT GaN normalement désactivés.
• Travailler en alternance entre deux laboratoires.
• Prendre en charge la mise au point du dispositif novateur.

Connaissances

Connaissances en physique des composants

Autonomie

Esprit d'équipe

Motivation pour la recherche expérimentale

Formation

Diplôme de doctorat requis en microélectronique ou domaine connexe

Description du poste

Offre de thèse : Nouveau dispositif électronique de puissance en GaN supportant des tensions supérieures à 1200V (H/F)

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :

Date Limite Candidature : jeudi 18 décembre 2025 23:59:00 heure de Paris

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Informations générales

Intitulé de l'offre : Offre de thèse : Nouveau dispositif électronique de puissance en GaN supportant des tensions supérieures à 1200V (H/F)
Référence : UPR8001-FREMOR-019
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : TOULOUSE
Date de publication : jeudi 27 novembre 2025
Type de contrat : CDD Doctorant
Durée du contrat : 36 mois
Date de début de la thèse : 1 février 2026
Quotité de travail : Complet
Rémunération : La rémunération est d'un minimum de 2300,00 € mensuel
Section(s) CN : 08 - Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Description du sujet de thèse

Les matériaux nitrures d’éléments (III-N) dont fait partie le GaN constituent aujourd’hui la seconde famille de semiconducteurs utilisés après le silicium. Ces semiconducteurs à large bande interdite sont désormais présents dans différents types de composants pour l’éclairage et l’affichage (LEDs), le stockage de données (diodes laser), les applications hyperfréquences (transistors HEMT RF), et des nouveaux composants (transistors, diodes) sont développés pour convertir l’énergie électrique. Pour réduire les coûts de fabrication de ces dispositifs, il est essentiel de pouvoir intégrer ces matériaux dans les filières de la microélectronique "silicium" afin de bénéficier de ses avantages et notamment de la disponibilité d’outils de fabrication capables de traiter des substrats de grande taille. Cependant, la synthèse du matériau GaN par hétéro-épitaxie sur des substrats de silicium se heurte à de nombreuses difficultés qui limitent sévèrement les degrés de liberté dans le design des empilements de matériaux pour réaliser des composants et, par conséquent, la qualité des matériaux et les performances des dispositifs.

Dans ce contexte, notre objectif est de concevoir, fabriquer et caractériser des transistor HEMT GaN normally-off opérant à des tensions supérieures à 1200 V. Le candidat(e) recruté(e) prendra en charge la mise au point de ce dispositif novateur en s’appuyant sur l’expertise et le savoir-faire disponibles aux laboratoires LN2 et LAAS. Il (Elle) doit être très motivé(e) par la recherche expérimentale et avoir de bonnes bases de la physique des composants et des semiconducteurs. Il (Elle) doit être autonome, avoir le sens de l’expérimentation et du travail en équipe.

Contexte de travail

Cette thèse est une formation en cotutelle entre l’université de Toulouse (France) sous la supervision du Pr. Frédéric Morancho et l’université de Sherbrooke (Canada) sous la supervision du Pr. Hassan Maher. Les travaux de recherche prévus dans le cadre de cette thèse auront lieu aux laboratoires CNRS, LAAS et au LN2. Le candidat sera amené à travailler en alternance sur les deux sites. Les frais de déplacement entre les deux laboratoires seront couverts par le projet.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.