H/F Post-doc Étude des mécanismes de dégradation des composants de puissance grand-gap sous-jac[...]

CNRS; Toulouse; Sur place; EUR 40 000 - 60 000; Plein temps

Résumé du poste

Un organisme de recherche à Toulouse cherche un post-doc pour étudier les mécanismes de dégradation des composants de puissance GaN. Vous aurez pour mission d'analyser les dégradations et d'utiliser des outils de simulation physique. Le candidat idéal a un doctorat et possède des compétences en salle blanche et en technologies micro-électroniques. Ce poste en CDD de 9 mois offre une rémunération comprise entre 3041€ et 4216€ brut mensuel selon l'expérience.

Qualifications

• 1 à 4 années d'expérience dans un domaine connexe.

Responsabilités

• Analyse physique des dégradations observées dans des composants de puissance.
• Utilisation de simulation physique pour comprendre le mécanisme de défaillance.

Connaissances

Expérience de travail en salle blanche

Utilisation de microscope électronique

Connaissance des technologies de la micro-électronique

Expérience en simulation TCAD

Expérience en électronique de puissance

Formation

Doctorat

Description du poste

H/F Post-doc Étude des mécanismes de dégradation des composants de puissance grand-gap sous-jacents à leur fiabilité

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :

Date Limite Candidature : vendredi 26 décembre 2025 23:59:00 heure de Paris

Assurez-vous que votre profil candidat soit correctement renseigné avant de postuler

Informations générales

Intitulé de l'offre : H/F Post-doc Étude des mécanismes de dégradation des composants de puissance grand-gap sous-jacents à leur fiabilité

Référence : UPR8001-DAVTRE-003
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : TOULOUSE
Date de publication : vendredi 5 décembre 2025
Type de contrat : Chercheur en contrat CDD
Durée du contrat : 9 mois
Date d'embauche prévue : 1 mars 2026
Quotité de travail : Complet
Rémunération : Entre 3041€ et 4216€ brut mensuel selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
Section(s) CN : 08 - Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Missions

Ce post-doc vise à apporter des nouvelles connaissances sur les mécanismes physiques mis en jeu dans la fiabilité des puces GaN, afin de pouvoir évaluer leur criticité et ainsi mieux définir et comprendre les domaines de fonctionnement sûr et assurant la fiabilité nécessaire à l'accomplissement de la mission des applications.

En effet, les mécanismes physiques liés à la fiabilité des composants de puissance en GaN ne sont que partiellement connus et requièrent donc encore une compréhension beaucoup plus approfondie. D'autant plus que les évolutions technologiques sont relativement rapides et très compétitives. Chaque nouvelle génération de composant tente de résoudre les limitations de la génération précédente, y compris en termes de fiabilité, mais peut introduire de nouveaux mécanismes qu'il est indispensable de maîtriser avant de pouvoir introduire ces nouvelles technologies dans des applications nécessitant une grande robustesse et une grande fiabilité comme les applications automobiles, aéronautiques, spatiales…

Activités

Le candidat aura en charge l'analyse physique des dégradations observées dans des composants de puissance au moyen des outils disponibles au laboratoire ou en partenariat avec d'autres laboratoires. Il pourra s'appuyer sur la simulation physique afin de comprendre le mécanisme de défaillance associé.

Compétences

• Expérience de travail en salle blanche.
• Expérience en utilisation de microscope électronique et optionnellement FIB.
• Connaissance des technologies de la micro-électronique.
• Expérience en simulation TCAD souhaitable.
• Expérience en électronique de puissance souhaitable.

Contexte de travail

Ce post-doc s'inscrit dans le projet Important d'Intérêt Européen Commun (IPCEI) porté par l'entreprise Schaeffler.

Les travaux de post-doctorat seront menés au sein de l'équipe ISGE du LAAS, dont les différents chercheurs couvrent une large spectre de compétences, des technologies de salle blanche aux systèmes de gestion de l'énergie électrique, apportant ainsi un large spectre d'expertise. Par exemple, les chercheurs technologues et concepteurs de puce de puissance GaN, dont certaines sont réalisées en salle blanche du LAAS, pourront apporter une expertise neutre et très avancé sur les technologies étudiées dans le projet (qui sont commerciales).

De plus, le post-doctorat s'appuiera en effet sur la plateforme PROOF du LAAS (https://www.laas.fr/projects/proof/) qui a été mise en place grâce principalement au financement de la région Occitanie (80 %) et qui est dédié à la compréhension des mécanismes physiques liés à la fiabilité des technologies grand-gap.

Cette plateforme s'est dotée de techniques d'analyse à la pointe (https://www.laas.fr/projects/proof/m%C3%A9canismes-de-d%C3%A9faillances) avec en particulier des bancs innovants basés sur l'optique ultra-violet, nécessaire à l'étude des composants grand-gap et encore très peu répandu dans le monde. Les travaux s’appuieront également sur les moyens de la salle blanche du LAAS.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.