Contacts en siliciures supraconducteurs sur substrats ultra dopés par recuit laser nanoseconde

CEA; Grenoble; Sur place; EUR 20 000 - 40 000; Plein temps

Résumé du poste

Une entreprise de recherche en physique propose une thèse sur les contacts siliciures supraconducteurs dans le cadre de la construction d'ordinateurs quantiques. Le candidat devra développer une méthode de dopage innovante sur une ligne de production de 300 mm. La formation recommandée est un M2 en physique des matériaux ou en nanoscience. La disponibilité du poste est prévue pour le 01 septembre 2026. Le tutorat est assuré par des experts dans le domaine.

Qualifications

• Excellentes compétences en physique des matériaux et nanosciences.
• Pas d'expérience professionnelle particulière exigée.

Responsabilités

• Développer des contacts siliciures supraconducteurs transparent.
• Utiliser le recuit par laser pulsé nanoseconde pour les dopages.

Formation

M2 physique des matériaux

Nanoscience

Description du poste

Description du sujet de thèse

Domaine

Défis technologiques

Sujets de thèse

Contacts en siliciures supraconducteurs sur substrats ultra dopés par recuit laser nanoseconde

Contrat

Thèse

Description de l'offre

Dans la course à la construction d'un ordinateur quantique, la fabrication de dispositifs basés sur la technologie FD-SOI au silicium, robuste et évolutive, suscite un vif intérêt. Le transistor à effet de champ Josephson (JoFET) en est un exemple, dont le fonctionnement repose sur la grande transparence de l'interface entre les régions source/drain supraconductrices et le canal semi-conducteur. Cette transparence pourrait être améliorée en dopant les régions source/drain, ce qui permettrait de réduire la hauteur de la barrière de Schottky aux interfaces supraconducteur/semi-conducteur. Ce doctorat vise à développer des contacts siliciures supraconducteurs hautement transparents sur une ligne de production de 300 mm à l'aide du recuit par laser pulsé nanoseconde (NPLA). Le NPLA jouera un rôle clé pour atteindre des concentrations de dopage extrêmement élevées dans le silicium [1,2], puis pour former les siliciures supraconducteurs (CoSi2, V3Si) avec un budget thermique minimal et une désactivation minimale des dopants. Une attention particulière sera accordée aux contraintes pendant la formation des siliciures et à leur impact sur la température critique supraconductrice. De plus, la distribution des dopants sera évaluée par tomographie atomique (APT), une technique d'imagerie 3D avancée capable d'imager la distribution des dopants à l'échelle atomique [3]. Enfin, des mesures électriques sur les jonctions et les transistors fabriqués seront effectuées à basse température (< 1 K) afin d'évaluer la transparence des contacts supraconducteurs.

Université / école doctorale

Ecole Doctorale de Physique de Grenoble (EdPHYS) Université Grenoble Alpes

Site

Grenoble

Formation recommandée

M2 physique des matériaux et/ou en nanoscience

Disponibilité du poste

01/09/2026

Personne à contacter par le candidat

DUMAS Paul [e-mail] CEA DRT/DPFT//LSIT CEA 17 rue des martyrs 38054 Grenoble FRANCE

Tuteur / Responsable de thèse

LEFLOCH François [e-mail] CEA DRF/IRIG//PHELIQS CEA IRIG/DEPHY/PHELIQS/LaTEQS 17 rue des martyrs 38054 Grenoble FRANCE 04-38-48-22

En savoir plus

DPFT/SMIL/LSIT