Caractérisation électrique et matériau approfondie d'espaceurs à faible constante diélectrique

CEA; Grenoble; Sur place; EUR 40 000 - 60 000; Plein temps

Résumé du poste

Une entreprise de recherche en électronique recherche un(e) thésard(e) pour travailler sur le développement de transistors FDSOI à faible consommation d'énergie. Ce rôle impliquera la caractérisation des matériaux, la collaboration avec des experts et l'acquisition de compétences dans le domaine de la microélectronique. Une formation en physique des semi-conducteurs est requise. Ce poste est situé à Grenoble et est disponible à partir du 01/10/2025.

Qualifications

• Motivé(e) pour relever des défis sur les performances avancées des transistors.
• Capacité à travailler avec des équipes pluridisciplinaires.
• Intérêt pour les matériaux et processus de la microélectronique.

Responsabilités

• Participer au développement de matériaux innovants.
• Réaliser une caractérisation électrique des matériaux d'espaceur.
• Collaborer avec des experts pour analyser de nouveaux matériaux.

Formation

Master 2 en physique des semi-conducteurs et sciences des matériaux

Description du poste

Overview

Description du sujet de thèse
Domaine
Défis technologiques
Sujets de thèse
Caractérisation électrique et matériau approfondie d'espaceurs à faible constante diélectrique
Contrat
Thèse

Description de l'offre
Dans le cadre de l'European Chip Act, le CEA-Leti s'engage à façonner l'avenir de l'électronique en développant une nouvelle génération de transistors grâce à l'architecture FDSOI. Nous recherchons un(e) thésard(e) motivé(e) pour nous aider à relever des défis passionnants liés aux performances avancées de ces transistors. Vous aurez l'opportunité de participer à un projet de pointe axé sur le développement de matériaux innovants, avec l'ambition de créer une technologie de premier plan en matière d'efficacité énergétique. Alors que nous repoussons les limites des transistors planaires à 10 nm et 7 nm, nous faisons face à d'importants défis physiques, en particulier la réduction des éléments parasites tels que la capacitance et la résistance d'accès, qui sont essentiels pour minimiser les pertes d'énergie et optimiser les performances. Le matériau isolant utilisé pour les espaceurs jouent ici un rôle clé sur ces performances et de nombreux candidats ont été proposés pour remplacer les solutions conventionnelles avec de plus faibles permittivités (SiN, SiCO, SiCON, SiCBN). Néanmoins leur intégration introduit également des défauts inhérents entrainant la capture de charges ou la présence d'états d'interface indésirables qui nuisent à la performance finale des transistors. L'objectif de cette thèse est de mener une enquête approfondie et une caractérisation électrique (CV, IV, BTI, HCI, etc.) du matériaux d'espaceur (interface, volume), en fournissant une analyse détaillée des performances du transistor et de ses mécanismes sous-jacents. Une caractérisation innovante par mesure de stress CV ultra-rapide sur des échantillons diélectriques sera également réalisée et la corrélation entre la performance de piégeage et les paramètres de dépôt utilisés dans leur fabrication sera établie. De plus, le candidat collaborera étroitement avec des experts pour contribuer au développement du dépôt couches minces et à la caractérisation de nouveaux matériaux par analyse de surface et caractérisation des films minces (ellipsométrie, FTIR, XRR, XPS, etc.). Tout au long de la thèse, vous acquerrez un large éventail de connaissances, couvrant les matériaux et processus de la microélectronique, la conception intégrée analogique, tout en relevant le défi unique de la technologie FDSOI avancée à 7-10 nm. Vous collaborerez avec des équipes pluridisciplinaires pour développer une compréhension approfondie des dispositifs FDSOI et analyserez les mesures existantes. Vous ferez également partie d''un laboratoire multidisciplinaire, travaillant aux côtés d'une équipe composée de plusieurs chercheurs permanents, explorant un large éventail d'applications de recherche. Ce thèse offre l'opportunité unique de participer à un des projet phare et ambitieux du CEA-LETI. Si vous êtes curieux et avide de relever des défis, cette opportunité est faite pour vous !

Université / école doctorale
Ingénierie - Matériaux - Environnement - Energétique - Procédés - Production (IMEP2)
Université Grenoble Alpes

Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble

Critères candidat
Formation recommandée
Master 2 physique des semi-conducteurs et sciences des matériaux

Demandeur
Disponibilité du poste
01/10/2025

Personne à contacter par le candidat
GUERIN Chloé [e-mail]
CEA
DRT/DPFT/SDEP/LDJ
Minatec campus
17 rue des martyrs
38054 Grenoble
0438781060

Tuteur / Responsable de thèse
JOUSSEAUME Vincent [e-mail]
CEA
DRT/DPFT
17, Avenue des Martyrs
38054 Grenoble cedex 9
0438789522

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