Comparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si pour des applications d'électronique de pui[...]

CEA; Grenoble; Sur place; EUR 40 000 - 60 000; Plein temps

Résumé du poste

Un acteur majeur de la recherche scientifique recherche un(e) post-doctorant(e) pour comparer le diamant et GaN vertical au SiC et Si dans le cadre d'applications d'électronique de puissance. Ce rôle impliquera des simulations et la caractérisation des performances de nouveaux composants. Le candidat idéal aura un PhD dans le domaine des semi-conducteurs et une expérience en électronique de puissance. Un environnement de travail innovant et un poste situé à Grenoble sont offerts.

Prestations

Formations pour renforcer les compétences

Participation aux transports en commun à hauteur de 85%

Restaurants d'entreprise

CSE actif pour des loisirs

Qualifications

• PhD requis dans le domaine des semi-conducteurs.
• Expérience en physique des semi-conducteurs wide bandgap souhaitée.
• Compétences en caractérisation électrique de composants préférées.

Responsabilités

• Évaluer la viabilité des technologies basées sur le diamant et GaN.
• Comparer les performances avec celles du SiC et Si.
• Proposer une feuille de route pour le développement technologique.

Connaissances

Physique des semi-conducteurs

Électronique de puissance

Simulation TCAD

Formation

PhD dans le domaine des semi-conducteurs

Description du poste

Intitulé de l'offre

Comparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si pour des applications d'électronique de puissance

Description du poste

Post-doctorat - Comparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si pour des applications d'électronique de puissance H/F.

Contrat et durée

Durée du contrat (en mois) non spécifiée dans le contenu fourni.

Description de l'offre

Rejoignez le CEA-Leti et participez aux développements des technologies d'avenir qui transformeront les systèmes d’électronique de puissance de demain. Collaborez avec des équipes pluridisciplinaires, de l'ingénierie des matériaux à la simulation des dispositifs, en passant par la fabrication et la caractérisation physique, jusqu'au développement complet des systèmes de puissance.

Ce projet porte sur l’étude de la viabilité des technologies de composant de puissance émergeantes à base de diamant et de GaN. Vous aurez pour tâche ambitieuse d’évaluer dans quelle mesure ces nouvelles technologies peuvent apporter des améliorations de performance en comparaison des solutions existantes en Si ou SiC, sur une ou plusieurs applications spécifiques.

En particulier ce projet a pour objectifs :

• Identifier une ou plusieurs applications sur lesquelles les technologies GaN vertical et diamant sont susceptibles d’apporter des gains significatifs, en considérant le marché actuel et/ou projeté de ces applications.
• Comparer au moyen de simulation TCAD et SPICE, ainsi que de mesures expérimentales de dispositifs de test, les performances estimées de composants Diamant et GaN industrialisables, dimensionnés pour ces applications, en comparaison du SiC et Si.
• Proposer une roadmap pour le développement de ces technologies.

Pourquoi rejoindre notre équipe ? Nous vous proposons :

• Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel.
• Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles.
• Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA.
• Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%.
• Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu.
• Une politique diversité et inclusion.
• Des restaurants d'entreprise.
• Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles.
• Une épargne abondée par le CEA.

Profil du candidat

Vous devez avoir obtenu un PhD dans le domaine des semiconducteurs. Une formation ou expérience dans le domaine de la physique des semiconducteurs wide bandgap et/ou dans l’électronique de puissance est demandée. Également, une expérience avec un logiciel de simulations TCAD ainsi que dans la caractérisation électrique de composants est souhaitée.

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation, rejoignez-nous!

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Diplôme préparé

Bac+8 - Doctorat scientifique

Formation recommandée

PhD dans le domaine des semiconducteurs

Possibilité de poursuite en thèse

Disponibilité du poste

Informations générales

Entité de rattachement

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat. Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs. Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international. Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales : La conscience des responsabilités, La coopération, La curiosité.