Chercheur postdoctoral : conception de composants de puissance intégrés en GaN (H/F)

CNRS; Toulouse; Sur place; EUR 20 000 - 40 000; Plein temps

Résumé du poste

Un institut de recherche à Toulouse cherche un chercheur postdoctoral pour concevoir des composants de puissance en GaN. Vous travaillerez sur des projets innovants en électronique de puissance et participerez à des recherches collaboratives, impliquant des outils de simulation avancés. Ce poste de 12 mois requiert un doctorat et des compétences en simulation, avec un salaire mensuel compris entre 3 041€ et 4 395€ selon expérience.

Qualifications

• Maîtrise de la simulation avec outils comme SPICE et Cadence.
• Expériences en caractérisation des transistors en commutation.
• Connaissances en modélisation de transistors à matériaux grand gap.

Responsabilités

• Concevoir des composants de puissance en GaN avec fonctionnalités intégrées.
• Réaliser des analyses par éléments finis pour évaluer performances.
• Participer aux campagnes de caractérisation des composants en GaN.

Connaissances

Maîtriser les outils de simulation tels que SPICE, VHDL(-AMS), Cadence

Connaissances en simulation numérique de type élément fini

Connaissances approfondies en électronique

Aptitude au travail en équipe dans le cadre de projets collaboratifs

Bon niveau en français et en anglais

Formation

Doctorat

Outils

Matlab/Octave

Python

Comsol

TCAD

Silvaco

Description du poste

Chercheur postdoctoral : conception de composants de puissance intégrés en GaN (H/F)

Date Limite Candidature : jeudi 1 janvier 2026 23:59:00 heure de Paris.

Assurez-vous que votre profil candidat soit correctement renseigné avant de postuler.

Informations générales

Intitulé de l'offre : Chercheur postdoctoral : conception de composants de puissance intégrés en GaN (H/F)

Référence : UMR5213-DELDAL-033

Nombre de Postes : 1

Lieu de travail : TOULOUSE

Date de publication : jeudi 11 décembre 2025

Type de contrat : Chercheur en contrat CDD

Durée du contrat : 12 mois

Date d'embauche prévue : 2 février 2026

Quotité de travail : Complet

Rémunération : Entre 3 041€ et 4 395€ brut mensuel selon expérience

Niveau d'études souhaité : Doctorat

Expérience souhaitée : Indifférent

Section(s) CN : 08 - Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Missions

Dans le cadre du PEPR électronique « VERTIGO » regroupant 8 entités académiques de référence (France 2030), le projet vise à développer une nouvelle génération de composants de puissance basés sur un semi-conducteur en GaN, avec des fonctionnalités et performances uniques. Les technologies de l'électronique de puissance avancée sont au cœur de la prochaine génération de systèmes énergétiques. Le silicium est un matériau semi-conducteur bien établi répondant aux exigences de la conversion d'énergie depuis plus de 50 ans, mais il est largement reconnu qu’une amélioration de l'électronique de puissance sera obtenue en employant des dispositifs à base de matériaux à large bande interdite. Ces dispositifs possèdent des caractéristiques électriques supérieures, offrant des tensions de blocage plus élevées, une efficacité et une fiabilité accrues, ainsi que des exigences thermiques réduites, menant à des systèmes électroniques verts plus performants. Ce poste consiste à concevoir de nouvelles fonctionnalités intégrées au sein de composants verticaux en Nitrure de Gallium (GaN), sur la base des briques technologiques développées dans le consortium.

Activités

Les objectifs scientifiques de ce poste résument un objectif principal : concevoir les composants de puissance en GaN avec leurs fonctionnalités intégrées. En étroite collaboration avec le consortium du projet, les différents dispositifs seront étudiés à l’aide d’analyses par éléments finis 1D et 2D (par exemple TCAD Sentaurus, Silvaco). Les analyses numériques évalueront les compromis entre performances électriques du cœur de puissance et des fonctions intégrées, paramètres de fabrication, et paramètres géométriques. Une attention particulière sera portée aux éléments parasites et couplages de l’intégration afin d’évaluer au plus tôt les performances de commutation et les meilleurs compromis entre pertes de conduction et de commutation. Les architectures seront évaluées en termes de performances électriques et de complexité de fabrication, avec sélection des meilleures architectures (mask layout) en collaboration avec les partenaires français du consortium. En complément de ces travaux de conception, la personne recrutée participera à des campagnes de caractérisation de composants innovants en GaN, afin d’intégrer les contraintes expérimentales dans la conception.

Compétences

• Maîtriser les outils de simulation tels que SPICE, VHDL(-AMS), Cadence, ainsi que Matlab/Octave ou Python. Des compétences en simulation numérique type élément fini (ex : Comsol, TCAD, Silvaco) seront un plus.
• Avoir des connaissances sur les problématiques et méthodologies de caractérisation des transistors en régime de commutation large signal.
• Avoir des connaissances approfondies en électronique, idéalement dans la modélisation de transistors et composants de puissance à matériaux grand gap et/ou ultra grand gap.
• Démontrer une aptitude au travail en équipe et dans le cadre d’un projet collaboratif, notamment par une expérience antérieure de participation active dans un tel projet.
• Avoir un bon niveau et une maîtrise des langues Françaises et Anglaises.

Contexte de travail

Ce poste financé par un projet de recherche collaboratif français PEPR électronique « VERTIGO » : Transistors pour l’électronique de puissance utilisant une géométrie verticale permettant de gagner en densité de courant et d’accompagner la montée en tension. Ce projet a débuté en 2022 pour une durée de 48 mois, coordonné par le CEA (Grenoble) et le laboratoire AMPERE (Lyon). Le poste de chercheur.postdoc est financé pour 12 mois. Le Laplace (Laboratoire Plasma et Conversion d’Energie) est une UMR ayant pour tutelles le CNRS, l’INP‑Toulouse et l’UPS, et représente la plus forte concentration de recherche en génie électrique et plasma en France. Le groupe CS se compose de 35 équivalents temps plein, avec des investigations majeures portant sur des concepts originaux d’associations de cellules de commutation imbriquées, superposées et/ou magnétiquement couplées en parallèle, donnant naissance à des circuits complexes à topologie très ramifiée. Les recherches et technologies ainsi développées adressent de nouvelles fonctionnalités de gestion de l’énergie, ainsi que des applications à hautes performances en termes de qualité de formes d’ondes, de filtrage compact et d’intégration tridimensionnelle à forte puissance spécifique. Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l’autorité compétente du MESR.