Ingenieur jobs in United States

Entreprise technologique innovante et pionnière dans le domaine des écrans à haute performance, nous développons des composants microélectroniques de dernière génération. Nos travaux s’articulent autour de solutions d’affichage avancées, incluant notamment des µLEDs basées sur des nanofils 3D en GaN sur silicium. Dans le cadre du renforcement de nos équipes, nous recherchons un(e) Ingénieur(e) Device passionné(e) par les semi-conducteurs et l’innovation de rupture.

Rattaché(e) au Responsable du département Device et Process Integration, vous serez au cœur de l’optimisation des performances des µLEDs développées en interne. Vous interviendrez sur la caractérisation électro-optique avancée des composants, l’analyse des phénomènes physiques fondamentaux (transport de charges, recombinaison), ainsi que la définition de solutions d’amélioration concrètes en interaction avec les équipes pluridisciplinaires du projet.

• Analyser les performances électro-optiques des µLEDs (efficacité, uniformité, défectivité).
• Étudier les mécanismes de recombinaison et le transport de charges dans les structures.
• Définir et mettre en œuvre des plans d’expériences pour améliorer les performances.
• Coordonner les actions avec les équipes d’épitaxie, de caractérisation, de conception et de process.

• Établir des plans de caractérisation adaptés (CL, PL, TEM, Raman, EDX, EBIC, IVLT).
• Collaborer étroitement avec les équipes de simulation et de développement.
• Garantir la qualité, la fiabilité et la traçabilité des mesures effectuées.

• Adapter ou concevoir des bancs de mesure spécifiques.
• Développer des routines d’analyse de données exploitables par les équipes opérationnelles.
• Maintenir une veille technologique sur les outils de caractérisation.

• Rédiger des rapports techniques détaillés.
• Présenter les résultats et les analyses en réunion projet.
• Participer à la mise en place de procédures qualité et à l’analyse de causes racines.

• Contribuer à l’identification de verrous technologiques et à la création de brevets.

• Diplôme Bac+5 à Bac+8 (Master, Ingénieur, Doctorat) en physique des matériaux, microélectronique, ou semi-conducteurs.
• Expérience souhaitée en environnement R&D, industriel ou académique à fort contenu technologique.

• Maîtrise des semi-conducteurs III-V, en particulier du GaN.
• Solide expérience en caractérisation électro-optique avancée.
• Connaissance du développement de bancs de test et de l’analyse de données complexes.

• Anglais courant indispensable (écrit et oral).

• Esprit d’analyse et de synthèse, autonomie, rigueur.
• Bon relationnel et goût du travail en équipe pluridisciplinaire.
• Capacité à évoluer dans un environnement innovant et exigeant.

• Technologie de rupture : Travaillez sur des projets à fort impact dans un secteur en pleine transformation.
• Environnement stimulant : Intégrez une équipe dynamique, multidisciplinaire et à la pointe de la recherche.
• Développement de carrière : Bénéficiez de perspectives d’évolution dans une entreprise en forte croissance et tournée vers l’avenir.

Type de contrat : CDI

Site : Champagnier

Horaire de travail : Temps plein, du lundi au vendredi, horaires de journée - télétravail possible

Publié le : 30 / 04 / 2025