Masterarbeit - Quantitative Untersuchung der Versetzungsdichte in HVPE-GaN

Fraunhofer-Gesellschaft; Erlangen; Vor Ort; EUR 9.000 - 11.000; Vollzeit

Zusammenfassung

Das Fraunhofer-Institut in Erlangen bietet eine Masterarbeit zur Untersuchung der Versetzungsdichte in GaN. Die Arbeit umfasst experimentelle Laborarbeit und Datenauswertung in einem innovativen Forschungsumfeld. Studierende der MINT-Fächer sind herzlich eingeladen, sich zu bewerben.

Leistungen

Einblick in spannende Forschungsprojekte

Vielseitige Aufgaben

Gute Betreuung durch wissenschaftliche Mitarbeiter*innen

Offenes und kollegiales Arbeitsumfeld

Qualifikationen

• Immatrikulierte*r Student*in in einem MINT-Fach.
• Gute Kenntnisse in Python.
• Grundkenntnisse in Halbleiterphysik und Röntgenbeugung.

Aufgaben

• Durchführung von röntgentopographischen Messungen.
• Untersuchung des Zusammenhangs von Messparametern.
• Umfassende Auswertung mittels programmatischen Ansatzes.

Kenntnisse

Python

Experimentelle Laborarbeit

Datenauswertung

Ausbildung

Physik

Materialwissenschaften

Nanotechnologie

Geowissenschaften

Jobbeschreibung

Am Standort Erlangen gestalten die über 400 Mitarbeitenden des Fraunhofer-Instituts für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB anwendungsbezogene Forschung und Entwicklung zu innovativen Themen der Halbleitertechnologie und Leistungselektronik.

Die Arbeitsgruppe »Nitridmaterialien« beschäftigt sich im Rahmen von öffentlich geförderten Projekten und von direkten Industrieaufträgen mit der Herstellung und Charakterisierung von Nitridhalbleitermaterialien für elektronische und optoelektronische Anwendungen.

Du möchtest Deine Fachkenntnisse in nutzbringende und sinnvolle Forschung umsetzen und deine Masterarbeit bei einem führenden Forschungsinstitut absolvieren? Dann haben wir hier ein interessantes Angebot für Dich!

Wir bieten Dir die Möglichkeit einer Masterarbeit mit dem Thema »Quantitative Untersuchung der Versetzungsdichte in HVPE-GaN mittels Röntgentopographie und defektselektivem Ätzen«:

Das Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN) spielt auf Grund seiner großen Bandlücke eine zunehmend wichtige Rolle als Basismaterial für leistungselektronische Bauelemente wie zum Beispiel Transistoren. Entscheidend für die Abscheidung dazu notwendiger, funktionaler Bauelementschichten ist ein qualitativ möglichst gutes GaN-Substrat, das heißt das Vorliegen einer möglichst geringen Dichte an Kristalldefekten wie beispielsweise Versetzungen. Im Rahmen dieser Masterarbeit wird das Verfahren der Röntgentopographie (XRT) auf seine Anwendbarkeit zur Charakterisierung der Versetzungsdichte von GaN untersucht, welches mit der HVPE-Methode (engl.: hydride vapor-phase epitaxy) hergestellt wurde. Dazu wird zunächst eine systematische Variation von Messparametern durchgeführt und deren Auswirkungen auf die Sichtbarkeit von Versetzungsstrukturen in den mittels XRT aufgenommenen Bildern evaluiert. Komplementäre Messungen werden verwendet, um eine lokale Bestimmung der expliziten Versetzungsdichte durchzuführen. Im direkten Vergleich wird geprüft, ob sich eine Kalibrierkurve erstellen lässt, welche es erlaubt, die Versetzungsdichte allein mittels XRT zu bestimmen.

Was Du bei uns tust

• Durchführung von röntgentopographischen (XRT) Messungen mit unterschiedlichen Abbildungsbedingungen
• Untersuchung des Zusammenhangs von Messparametern mit der Sichtbarkeit von Versetzungsstrukturen in XRT-Topogrammen
• Vergleich der gemessenen XRT-Topogramme mit den Ergebnissen komplementärer Messungen der lokalen Versetzungsdichte (z.B. Kathodolumineszenz, defektselektives Ätzen) und Evaluierung der Möglichkeit der Erstellung einer Kalibrierkurve
• Umfassende und detaillierte Auswertung mittels programmatischen Ansatzes sowie regelmäßige Präsentation im Team

Was Dumitbringst

• Immatrikulierte*r Student*in in den Studiengängen Physik, Materialwissenschaften, Nanotechnologie, Geowissenschaften oder eines vergleichbaren MINT-Faches
• Gute Kenntnisse in Python
• Spaß an experimenteller Laborarbeit sowie Datenauswertung/-analyse
• Grundkenntnisse in Halbleiterphysik und Röntgenbeugung
• Selbstständige und sehr sorgfältige Arbeitsweise

Was Duerwarten kannst

• Wir bieten einen großen Einblick in spannende Forschungsprojekte
• Vielseitige Aufgaben in der angewandten Forschung
• Aktive Mitarbeit bei Forschungsprojekten
• Gute Betreuung durch die wissenschaftlichen Mitarbeiter*innen
• Offenes und kollegiales Arbeitsumfeld

Die Stelle ist auf die Dauer der Bearbeitungszeit befristet. Es wird keine Vergütung gezahlt.

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität.Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.

Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft.

Haben wir Dein Interesse geweckt? Dann bewirb Dich jetzt online mit Deinen aussagekräftigen Bewerbungsunterlagen. Wir freuen uns darauf, Dich kennenzulernen!

Fachliche Fragen zu dieser Stelle beantwortet Dir gerne:
Dr. Sven Besendörfer
Telefon [phone]
[e-mail]

Fragen zum Bewerbungsprozess beantwortet Dir gerne:
Nadja Ingarsia
Telefon [phone]
[e-mail]

Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB

www.iisb.fraunhofer.de

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