Transistor à effet de champ à canal oxyde semi-conducteur: fonctions synaptiques multi-niveaux [...]

CEA; Grenoble; Sur place; EUR 30 000 - 50 000; Plein temps

Résumé du poste

Cette thèse passionnante vous immergera dans un domaine révolutionnaire, à l'interface entre les technologies avancées des semi-conducteurs et les architectures inspirées du cerveau. En tant que doctorant, vous explorerez la conception de circuits neuronaux innovants, visant à améliorer l'efficacité du traitement de l'information. Vous serez impliqué dans des projets de recherche de pointe, en utilisant des outils technologiques avancés pour proposer de nouvelles architectures. Rejoignez une équipe dynamique et pluridisciplinaire pour transformer l'informatique neuromorphique et relever des défis passionnants dans un environnement collaboratif.

Qualifications

• Doctorant avec une formation en conception de circuits intégrés.
• Expérience en recherche sur les neurones et synapses basés sur des transistors.

Responsabilités

• Conception et caractérisation de circuits neuronaux 2T0C de dernière génération.
• Collaboration avec une équipe pluridisciplinaire pour relever des défis technologiques.

Connaissances

Conception de circuits intégrés

Caractérisation des dispositifs

Recherche en informatique neuromorphique

Formation

Master 2 en conception de circuits intégrés

Outils

Techniques de caractérisation expérimentale

Description du poste

Description du sujet de thèse

Domaine

Défis technologiques

Sujets de thèse

Transistor à effet de champ à canal oxyde semi-conducteur: fonctions synaptiques multi-niveaux et neurones analogiques

Contrat

Thèse

Description de l'offre

Cette thèse passionnante vous invite à plonger au cœur d'un domaine révolutionnaire : les neurones et synapses basés sur des transistors 2T0C (Deux Transistors, Zéro Condensateur) de type BEOL FET (Back-End-Of-Line Field Effect Transistor), une approche innovante qui pourrait transformer l'informatique neuromorphique.

En tant que doctorant, vous serez à l'avant-garde de la recherche, à l'interface entre technologies avancées des semi-conducteurs et architectures inspirées du cerveau. Vous explorerez comment ces circuits neuronaux innovants peuvent reproduire les fonctions synaptiques et améliorer l'efficacité du traitement de l'information.

Tout au long de ce projet, vous serez impliqué dans la conception et la caractérisation expérimentale de circuits neuronaux 2T0C de dernière génération, en utilisant des outils et techniques à la pointe de la technologie. Vous collaborerez avec une équipe dynamique et pluridisciplinaire d'ingénieurs et de chercheurs, pour relever des défis passionnants liés aux performances des dispositifs et à l'optimisation énergétique.

Votre travail inclura une caractérisation approfondie des dispositifs et circuits BEOL FET. Vous aurez l'opportunité de proposer, spécifier et concevoir de nouvelles architectures de lecture mémoire, permettant d'explorer des comportements synaptiques multi-niveaux en vue de la mise en œuvre de systèmes neuromorphiques de nouvelle génération, plus compacts et plus économes en énergie.

Université / école doctorale

Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique (SIMPMN)
Aix-Marseille Université

Localisation du sujet de thèse

Site

Grenoble

Critères candidat

Formation recommandée

master 2 conception de circuits intégrés

Demandeur

Disponibilité du poste

01/10/2025

Personne à contacter par le candidat

FAYE Mathieu [e-mail]
CEA
DRT/DCOS//LDMC
17 avenue des Martyrs
38054 Grenoble
[phone]

Tuteur / Responsable de thèse

PORTAL Jean-Michel [e-mail]
IM2NP
Equipe memoires
IMT Technopôle de Château Gombert
38 rue Joliot Curie
13451 Marseille cedex 20

0413554011

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