Stage - Caractérisation hyperfréquence de composants III-V pour la 6G et les communications opt[...]

CEA; Grenoble; Sur place; EUR 20 000 - 40 000; Plein temps

Résumé du poste

Un institut de recherche de renommée mondiale à Grenoble propose un stage en caractérisation hyperfréquence de composants III-V pour la 6G. Le candidat idéal est un étudiant de bac+5 passionné par la recherche scientifique, avec des compétences en hyperfréquences et en programmation. Ce stage ouvre la voie à une thèse et propose de réelles opportunités de carrière.

Prestations

Ambiance de recherche de renommée mondiale

Accès à des équipements de pointe

Participation aux transports en commun à hauteur de 85%

Restaurant d'entreprise

Équilibre vie privée – vie professionnelle

Qualifications

• Passionné par la recherche scientifique et technologique.
• Reconnu pour votre curiosité, initiative et autonomie.

Responsabilités

• Caractériser électriquement des transistors HBT InP sur substrat silicium.
• Extraire le schéma équivalent petit-signal du transistor.
• Optimiser l’architecture et le process de fabrication.
• Évaluer la fiabilité/robustesse du composant sous stress électrique.

Connaissances

Connaissances en hyperfréquences

Physique des dispositifs à semiconducteurs

Mesures électriques & RF

Programmation Matlab/Python

Formation

Diplôme de niveau bac+5

Description du poste

Stage - Caractérisation hyperfréquence de composants III-V pour la 6G et les communications optiques H/F

Stage - Caractérisation hyperfréquence de composants III-V pour la 6G et les communications optiques H/F

Description du poste

Dans un contexte en constante évolution vous travaillerez sur la caractérisation DC et RF de composants bipolaires III-V (InP) sur substrat Silicium, pour des applications 6G sub-THz et les communications optiques. Le transistor sera modélisé et comparé avec des simulations 2D (capacités, résistances) afin de préparer un plan d'optimisation de ces performances. Ce stage s'ouvrira ensuite sur une thèse.

En tant que stagiaire au CEA, vous aurez l'opportunité de travailler au sein d'un environnement de recherche de renommée mondiale. Nos équipes sont composées d'experts passionnés et dédiés, offrant un cadre propice à l'apprentissage et à la collaboration. Vous aurez accès à des équipements de pointe et à des ressources de recherche de premier ordre pour mener à bien vos missions.

Sujet de stage

Découvrez une opportunité de stage unique où vous plongerez au cœur de l’innovation technologique. Vous développerez une expertise pointue dans des domaines tels que l’architecture des transistors, la caractérisation électrique avancée et la physique des transistors III-V. En rejoignant nos équipes multidisciplinaires, vous jouerez un rôle clé dans l’analyse et l’amélioration de la performance de ces dispositifs de haute technologie afin d'améliorer le débit et l'efficacité énergétique des réseaux télécom.

Intégré(e) au sein d’un laboratoire à la pointe de plus de 50 personnes, vous collaborez avec une équipe dynamique d'une dizaine de personnes explorant ensemble des applications de recherche pour les composants hyperfréquences en lien avec un industriel majeur de la microélectronique européenne.

Vous êtes impliqué(e) dans des projets captivants, mêlant rigueur scientifique et innovation.

Les missions comprennent :

• La caractérisation électrique avancée de transistors HBT InP sur substrat silicium (DC et RF : paramètres-S, Load-Pull, ...)
• L'extraction du schéma équivalent petit-signal du transistor, en fonction de sa géométrie, en lien avec de la simulation 2D des résistances et capacités parasites
• L’optimisation de l’architecture et du process de fabrication en lien avec les collègues de l'équipe
• Initier une évaluation de la fiabilité/robustesse du composant sous stress électrique

Chaque projet peut être ajusté selon les exigences de votre cursus scolaire, afin que votre stage soit une véritable passerelle vers l’excellence technique.

Ce sujet s'ouvrira vers une thèse au sein de la même équipe.

Profil du candidat

Vous préparez un diplôme de niveau bac+5 (Master Recherche/école d'ingénieur) dans le domaine des technologies microélectroniques.

Vous êtes passionné par la recherche scientifique et technologique et êtes reconnu pour votre curiosité, votre initiative et votre autonomie.

Vous possédez des connaissances en hyperfréquences, physique des dispositifs à semiconducteurs, en mesures électriques & RF ainsi qu'en programmation Matlab/Python.

Nous proposons :

• L'opportunité de travailler au sein d'une organisation de renommée mondiale dans le domaine de la recherche scientifique
• Un environnement unique dédié à des projets ambitieux au profit des grands enjeux sociétaux actuels
• Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel
• Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité
• De réelles opportunités de carrière à l’issue de votre stage
• Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA
• Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%
• Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu
• Un restaurant d'entreprise
• Une politique diversité et inclusion

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l'inclusion des travailleurs handicapés.