Matériaux SCO&FE par ALD pour les transistors FeFET

CEA; Grenoble; Sur place; EUR 30 000 - 50 000; Plein temps

Résumé du poste

Une entreprise innovante recherche un doctorant pour développer des matériaux SCO et FE pour des transistors FeFET. Ce projet de thèse se concentre sur la création de couches ultra-minces et à mobilité élevée, adaptées aux technologies 3D-DRAM. Le candidat bénéficiera d'un environnement technique avancé, avec accès à des installations de pointe pour la caractérisation des matériaux. Si vous êtes passionné par la microélectronique et souhaitez contribuer à des projets de recherche de pointe, cette opportunité est faite pour vous.

Qualifications

• Formation en ingénierie ou Master 2 en matériaux et instrumentation.
• Expérience avec les techniques de dépôt ALD et PVD.

Responsabilités

• Développer des couches SCO à base d'indium pour transistors FeFET.
• Caractériser les couches ALD-SCO et ALD-FE pour intégration 3D.

Connaissances

Caractérisation électrique

Techniques de dépôt ALD

Microélectronique

Analyse physico-chimique

Formation

Ingénieur

Master 2 en matériaux et instrumentation

Outils

Salle blanche 300/200 mm

Plateforme de nano-caractérisation

Description du poste

Description du sujet de thèse

Domaine

Défis technologiques

Sujets de thèse

Matériaux SCO&FE par ALD pour les transistors FeFET

Contrat

Thèse

Description de l'offre

Le Transistor à effet de champ ferroélectriques FeFET est un composant mémoire haute densité adapté aux configurations 3D-DRAM. Le concept FeFET combine l'utilisation des oxydes semi-conducteurs comme matériau de canal et des oxydes métalliques ferroélectriques FE comme grille de transistor. Le dépôt de couches atomiques ALD de matériaux SCO et FE à très faible épaisseur (<10 nm) et à basse température (<300°C) est particulièrement adapté aux structures 3D-DRAM compatibles BEOL.

Le projet de thèse se focalise sur le développement de couches SCO à base d'indium à mobilité ultra-élevée (>10 cm2.Vs) ; ultra-minces (<5 nm) et ultra-conformes (rapport d'aspect 1:10). Le doctorant bénéficiera du riche environnement technique de la salle blanche 300/200 mm du CEA-LETI et de la plateforme de nano-caractérisation (analyses physico-chimiques, structurales et microscopiques, mesures électriques).

Les développements porteront sur les points suivants :

1. Comparaison de couches SCO (IGZO Indium Gallium Zinc Oxide) fabriquées par techniques ALD et PVD : mise en œuvre de techniques de mesures et de véhicules de test adaptés.
2. Caractérisation intrinsèque et électrique des couches ALD-SCO (IWO, IGZO, InO) et ALD-EF (HZO) : stœchiométrie, structure, résistivité, mobilité....
3. Co-intégration de couches ALD-SCO et ALD-FE pour structures FeFET 3D verticales et horizontales.

Université / école doctorale

Localisation du sujet de thèse

Site

Grenoble

Critères candidat

Formation recommandée

Ingénieur ou M2 matériaux et instrumentation, microélectronique

Demandeur

Disponibilité du poste

01/10/2025

Personne à contacter par le candidat

BEDJAOUI Messaoud [e-mail]
CEA
DRT/DPFT//LDJ
CEA-Grenoble
17 avenue des martyrs
0438782926

Tuteur / Responsable de thèse

FAYE Mathieu [e-mail]
CEA
DRT/DCOS//LDMC
17 avenue des Martyrs
38054 Grenoble
[phone]

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