Ingénieur de Recherche en Dopage photo-induit dans le nitrure de bore hexagonal pour une applic[...]

CNRS; Metz; Sur place; EUR 60 000 - 80 000; Plein temps

Résumé du poste

Un laboratoire de recherche en sciences basé à Metz recherche un ingénieur de recherche pour travailler sur le projet ANR BIRD. Le candidat idéal doit avoir un BAC+5 en physique ou ingénierie, et de solides compétences en micro-fabrication et dopage par illumination. Ce poste propose une rémunération attractive et des opportunités de collaboration dans un environnement de recherche dynamique.

Qualifications

• Expérience en micro-fabrication et caractérisation de matériaux.
• Connaissances en photographie des semi-conducteurs.
• Compétences en travail collaboratif en milieu de recherche.

Responsabilités

• Travailler sur la micro-fabrication des composants de base.
• Optimiser le processus de dopage par illumination.
• Collaborer avec des partenaires sur le projet.

Connaissances

Micro-fabrication

Dopage par illumination

Analyse MEB

Formation

BAC+5 en physique ou ingénierie

Description du poste

Portail > Offres > Offre IRL2958-CRICOR-031 - Ingénieur de Recherche en Dopage photo-induit dans le nitrure de bore hexagonal pour une application UVC profonde (H/F)

Ingénieur de Recherche en Dopage photo-induit dans le nitrure de bore hexagonal pour une application UVC profonde (H/F)

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :

Date Limite Candidature : mercredi 22 octobre 2025 23:59:00 heure de Paris

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Informations générales

• Intitulé de l'offre : Ingénieur de Recherche en Dopage photo-induit dans le nitrure de bore hexagonal pour une application UVC profonde (H/F)
• Référence : IRL2958-CRICOR-031
• Nombre de Postes : 1
• Lieu de travail : METZ
• Date de publication : mercredi 1 octobre 2025
• Type de contrat : IT en contrat CDD
• Durée du contrat : 12 mois
• Date d'embauche prévue : 3 novembre 2025
• Quotité de travail : Complet
• Rémunération : 3143,64 € bruts en fonction de l'expérience
• Niveau d'études souhaité : BAC+5
• Expérience souhaitée : 1 à 4 années
• BAP : C - Sciences de l'Ingénieur et instrumentation scientifique
• Emploi type : Ingenieure ou ingenieur en conception instrumentale

Missions

Ces travaux de recherche seront menés dans le cadre du projet ANR BIRD. Les défauts dans les semi-conducteurs peuvent influencer les performances des dispositifs optoélectroniques. Les matériaux 2D suscitent un regain d'intérêt pour leurs défauts, et la photoconductivité persistante (PPC) est observée dans le h-BN à température ambiante après illumination UV. L’IRL GT-CNRS a démontré que le h-BN peut être durablement converti d'isolant en conducteur après exposition UV, ouvrant des perspectives pour l’optoélectronique et, en particulier, pour l’émission dans l’UV profond.

Activités

Les objectifs du projet BIRD sont donc les suivants :

• Comprendre le mécanisme sous-jacent de la transition, par illumination UV, d'isolant à conducteur dans le h-BN, afin d’optimiser le processus et d’identifier les défauts à l’origine de la PPC pour en maîtriser leur formation lors de l’épitaxie.
• Optimiser l'effet PPC géant et l'utiliser comme nouvelle méthode de dopage. Comprendre la physique sous-tendant l’origine de la PPC géante dans le h-BN est une condition préalable.
• Démontrer la réalisation d'homo-jonctions de h-BN via le dopage photo-induit et envisager l’intégration de puits quantiques BAlN/BN comme étape vers des LED DUV hautement efficaces.

Compétences

Afin de réaliser ces objectifs, l'ingénieur de recherche travaillera plus spécialement sur la micro-fabrication des composants de base, leur dopage par illumination, la fabrication de composants avancés par détachement et transfert, et leur caractérisation et analyses (MEB, I(V,t,T), etc.).

Contexte de travail

Le poste sera affecté à l'IRL 2958 GT-CNRS, laboratoire commun entre le Georgia Institute of Technology et le CNRS. Ces travaux s’inscrivent dans le cadre de l’IRL 2958 GT-CNRS, sous la direction du professeur Jean Paul SALVESTRINI, spécialiste en physique des composants à semiconducteurs et en micro-fabrication. Le projet est une collaboration avec un ensemble de partenaires nationaux et demandera une certaine quantité de travail collaboratif et de communication.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST) et nécessite, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Contraintes et risques

Travail dans un environnement bilingue. Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST) et nécessite que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.