Epitaxie sélective du contact de base d'un transistor HBT-GaAsSb en vue de hautes performances [...]

CEA; Grenoble; Sur place; EUR 40 000 - 60 000; Plein temps

Résumé du poste

Une entreprise de pointe recherche un doctorant pour travailler sur l'épitaxie sélective de transistors HBT-GaAsSb. Ce projet innovant vise à développer des systèmes de communication à haute fréquence, en intégrant des semi-conducteurs avancés. Le candidat idéal aura l'opportunité de mener des recherches sur des matériaux prometteurs, en utilisant des techniques d'analyse de pointe. Ce rôle passionnant offre une chance unique de contribuer à des avancées technologiques significatives dans le domaine des réseaux sans fil et de la 6G. Rejoignez une équipe dynamique et participez à la création de solutions qui façonneront l'avenir des communications.

Qualifications

• Expérience en épitaxie et analyse des semi-conducteurs requise.
• Compétences en modélisation et tests technologiques nécessaires.

Responsabilités

• Identifier le matériau optimal pour le contact ohmique du transistor HBT-GaAsSb.
• Réaliser des expérimentations et analyses avancées pour optimiser les performances.

Connaissances

Epitaxie

Analyse avancée (ToF-SIMS, HR-TEM, EDX)

Modélisation des structures de bandes

Formation

Ingénieur/Master2 en Physique du semiconducteurs et Microélectronique

Outils

Matériaux semi-conducteurs

Description du poste

Description du sujet de thèse

Domaine

Défis technologiques

Sujets de thèse

Epitaxie sélective du contact de base d'un transistor HBT-GaAsSb en vue de hautes performances fréquentielles

Contrat

Thèse

Description de l'offre

Avec l'essor des réseaux sans fil et l'arrivée de la 6G, le développement de systèmes de communication plus performants devient essentiel. Les fréquences au-delà de 140 GHz représentent un domaine prometteur, où les technologies actuelles reposent sur des semi-conducteurs avancés, tels que l'InP, offrant des performances supérieures aux solutions SiGe. Toutefois, les composants III-V restent coûteux, fabriqués sur de petits substrats (100 mm pour l'InP) et incompatibles avec les lignes de production silicium, qui garantissent un meilleur rendement industriel.
Dans ce contexte, le CEA-LETI, en collaboration avec le CNRS-LTM, développe une nouvelle filière de transistors HBT dont la couche de base en antimoniures a déjà démontré des performances fréquentielles supérieures au THz. Pour assurer une intégration compatible avec les procédés de fabrication Si-CMOS, une nouvelle approche de contact ohmique doit être mise en place. Cela implique une re-croissance épitaxiale sélective d'un matériau semi-conducteur adapté sur la couche de base du transistor HBT-GaAsSb.
Le doctorant aura pour mission d'identifier le matériau optimal répondant aux critères définis, en s'appuyant sur des expérimentations menées avec l'équipe d'épitaxie, des analyses avancées (ToF-SIMS, HR-TEM, EDX) et des modélisations des structures de bandes des hétérojonctions formées. Ce travail sera complété par la fabrication de structures de test technologiques, permettant d'extraire les paramètres électriques essentiels à l'optimisation des performances DC et RF du transistor HBT.

Université / école doctorale

Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Université Grenoble Alpes

Localisation du sujet de thèse

Site

Grenoble

Critères candidat

Formation recommandée

Ingénieur/Master2 en Physique du semiconducteurs et Microélectronique

Demandeur

Disponibilité du poste

01/09/2025

Personne à contacter par le candidat

BOUTRY Hervé < email supprimé pour raison de sécurité >
CEA
DRT/DCOS//LTA
17 rue des martyrs,
38054 Grenoble
[phone]

Tuteur / Responsable de thèse

BARON Thierry < email supprimé pour raison de sécurité >
CNRS
LTM/CNRS-UJF Materiaux - Epitaxie
LTM/CNRS
CEA Grenoble 17 rue des Martyrs 38504 Grenoble cedex 09
0438783986

En savoir plus

Site CEA
Projet T-Rex 6G