Epitaxie sélective basse température du SiGe(:B) pour les transistors pMOS FD-SOI

CEA; Grenoble; Sur place; EUR 40 000 - 60 000; Plein temps

Résumé du poste

Une opportunité passionnante se présente pour un doctorant dans le domaine de l'épitaxie à Grenoble. Ce projet innovant se concentre sur l'optimisation des technologies silicium pour la microélectronique, en particulier la croissance cristalline des transistors FD-SOI. Vous aurez l'occasion de travailler sur des techniques avancées, y compris l'épitaxie sélective du SiGe pour améliorer les performances des dispositifs. Rejoignez une équipe de recherche dynamique et contribuez à des projets de pointe qui façonnent l'avenir de la microélectronique. Si vous êtes passionné par les sciences des matériaux et souhaitez relever des défis technologiques, cette thèse est faite pour vous.

Qualifications

• Formation recommandée : Bac+5 en sciences des matériaux ou microélectronique.
• Compétences en épitaxie et techniques de croissance cristalline requises.

Responsabilités

• Optimiser les procédés d'épitaxie pour les transistors FD-SOI.
• Comparer les croissances du SiGe et du SiGe:B sous différents gaz porteurs.

Connaissances

Epitaxie

Sciences des matériaux

Microélectronique

Techniques de croissance cristalline

Formation

Bac+5 (Master) en sciences des matériaux

Bac+5 (Master) en microélectronique

Description du poste

Description du sujet de thèse

Domaine
Défis technologiques

Sujets de thèse
Epitaxie sélective basse température du SiGe(:B) pour les transistors pMOS FD-SOI

Contrat
Thèse

Description de l'offre
Dans le cadre de l'évolution des technologies silicium pour la microélectronique, les procédés mis en jeu dans la fabrication des dispositifs se doivent d'être optimisés. Plus précisément, l'épitaxie, technique de croissance cristalline, est utilisée pour fabriquer des transistors FD-SOI (Fully Depleted-Silicon On Insulator) au nœud technologique 10 nm dans le cadre du projet NextGen au CEA-Leti. Une épitaxie de semi-conducteurs de type Si et SiGe dopée ou non est développée afin d'améliorer les performances électriques des dispositifs. Le travail de thèse portera sur les épitaxies sélectives du SiGe(:B) pour les canaux et les sources/drains des transistors pMOS. Une comparaison des cinétiques de croissances du SiGe et du SiGe:B sera faite entre les croissances sous gaz porteur H2, couramment employé et le gaz porteur N2. Des stratégies innovantes de dépôt/gravure cyclées (CDE) seront également évaluées, l'objectif étant d'abaisser la température du procédé.

Université / école doctorale
Ecole Doctorale de Physique de Grenoble (EdPHYS)
Université Grenoble Alpes

Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble

Critères candidat
Formation recommandée
bac+5 (master) spécialité sciences des matériaux et/ou microélectronique

Demandeur
Disponibilité du poste
01/10/2025

Personne à contacter par le candidat
LESPIAUX Justine
[e-mail]
CEA
DRT/DPFT
LETI/DPFT/SSURF, CEA-GRENOBLE, 17, Avenue des Martyrs 38054 Grenoble Cedex 9, France
0438785079

Tuteur / Responsable de thèse
HARTMANN Jean-Michel, François
[e-mail]
CEA
DRT/DPFT
17 rue des Martyrs
38054 - Grenoble CEDEX 9
33 (0) 4 38 78 95 24

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