Compréhension et optimisation de la robustesse électrothermique des dispositifs de puissance av[...]

CEA; Grenoble; Sur place; EUR 30 000 - 50 000; Plein temps

Résumé du poste

Une entreprise innovante recherche un candidat pour une thèse passionnante axée sur l'optimisation des dispositifs en carbure de silicium (SiC) dans des conditions extrêmes. Ce projet de recherche se concentrera sur la caractérisation électro-thermique avancée, l'évaluation des limites de fonctionnement et l'analyse physico-chimique des composants. Le candidat idéal aura un BAC + 5 en électronique et sera motivé par l'utilisation d'outils d'intelligence artificielle pour améliorer la conception des dispositifs. Rejoignez une équipe dynamique à Grenoble et contribuez à des avancées majeures dans le domaine de l'électronique à haute température et à forte puissance.

Qualifications

• Expérience en caractérisation électro-thermique et en analyse de défaillances.
• Compétences en modélisation prédictive et en traitement de données.

Responsabilités

• Étudier et optimiser la robustesse électrothermique des dispositifs SiC.
• Proposer de nouvelles approches de tests et évaluer les limites de fonctionnement.

Connaissances

Caractérisation électro-thermique

Intelligence Artificielle

Analyse physico-chimique

Formation

BAC + 5 en électronique

Outils

Outils d'intelligence artificielle

Description du poste

Description du sujet de thèse

Domaine
Défis technologiques

Sujets de thèse
Compréhension et optimisation de la robustesse électrothermique des dispositifs de puissance avancés en SiC.

Contrat
Thèse

Description de l'offre
Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur aux propriétés intrinsèques supérieures à celles du silicium pour les applications électroniques à haute température et à forte puissance. Il est anticipé que les dispositifs en SiC soient largement utilisés dans la transition vers l'électrification et les nouvelles applications de gestion de l'énergie. Pour exploiter pleinement les propriétés supérieures du SiC, les futurs dispositifs semi-conducteurs seront utilisés dans des conditions de polarisation et de températures extrêmes. Ces dispositifs doivent fonctionner en toute sécurité à des densités de courant, des dV/dt et des températures de jonction plus élevées que les dispositifs en Si.
L'objectif de cette thèse est d'étudier les dispositifs SiC fabriqués au LETI dans ces conditions de fonctionnement extrêmes, et d'optimiser leur conception pour utiliser pleinement le potentiel théorique du SiC. Le travail de thèse comprendra plusieurs phases qui seront fortement couplées :

1. Caractérisation electro-thermique avancée (50%) : proposer de nouvelles approches de tests sur composants en boitier ou sur support adapté, en utilisant des outils d'intelligence artificielle (IA) pour l'extraction et le traitement des données. Cela inclura une adaptation des méthodologies de mesures standard aux spécificités de commutation du SiC.
2. Évaluation (15%) : des paramètres de conception et technologiques responsables des limites de fonctionnement des composants.
3. Caractérisation physico-chimique (15%) : pour l'analyse des défaillances sous ces conditions extrêmes.
4. Inclusion de modèles prédictifs (20%) : de sensibilité des architectures aux conditions extrêmes et aux défauts basée sur la modélisation.

Université / école doctorale
Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Université Grenoble Alpes

Localisation du sujet de thèse
Site
Grenoble

Critères candidat
Formation recommandée
BAC + 5 électronique

Demandeur
Disponibilité du poste
01/04/2025

Personne à contacter par le candidat
GODIGNON Philippe [e-mail]
CEA
DRT/DCOS/SITEC/LAPS
17 rue des Martyrs
38054 Grenoble Cedex 9
0438783643

Tuteur / Responsable de thèse
GODIGNON Philippe [e-mail]
CEA
DRT/DCOS/SITEC/LAPS
17 rue des Martyrs
38054 Grenoble Cedex 9
0438783643

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