Comparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si pour des applications d'électronique de puissanc

CEA; Vizille; Sur place; EUR 40 000 - 60 000; Plein temps

Résumé du poste

Rejoignez une équipe innovante au CEA-Leti et participez à des projets de pointe dans le domaine de l'électronique de puissance. Vous aurez l'opportunité de travailler sur des technologies émergentes comme le diamant et le GaN, en évaluant leur potentiel par rapport aux solutions existantes. Ce poste vous permettra de collaborer avec des experts de divers domaines, tout en bénéficiant d'une expérience enrichissante et d'un environnement de travail favorable à l'équilibre vie professionnelle-vie privée. Si vous êtes passionné par l'innovation et le développement technologique, cette opportunité est faite pour vous.

Prestations

Formations pour renforcer les compétences

Participation aux transports en commun à hauteur de 85%

Restaurants d'entreprise

CSE actif en loisirs

Épargne abondée par le CEA

Qualifications

• PhD requis dans le domaine des semiconducteurs.
• Expérience en physique des semiconducteurs et électronique de puissance souhaitée.

Responsabilités

• Évaluer la viabilité des technologies de composants de puissance émergentes.
• Comparer les performances des composants Diamant et GaN avec SiC et Si.

Connaissances

Physique des semiconducteurs

Électronique de puissance

Simulation TCAD

Caractérisation électrique

Formation

PhD dans le domaine des semiconducteurs

Description du poste

Comparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si pour des applications d'électronique de puissance

Position description

Rejoignez le CEA-Leti et participez aux développements des technologies d'avenir qui transformeront les systèmes d’électronique de puissance de demain. Collaborez avec des équipes pluridisciplinaires, de l'ingénierie des matériaux à la simulation des dispositifs, en passant par la fabrication et la caractérisation physique, jusqu'au développement complet des systèmes de puissance.

Ce projet porte sur l’étude de la viabilité des technologies de composant de puissance émergeantes à base de diamant et de GaN. Vous aurez pour tâche ambitieuse d’évaluer dans quelle mesure ces nouvelles technologies peuvent apporter des améliorations de performance en comparaison des solutions existantes en Si ou SiC, sur une ou plusieurs applications spécifiques.

En particulier, ce projet a pour objectifs :

• D’identifier une ou plusieurs applications sur lesquelles les technologies GaN vertical et diamant sont susceptibles d’apporter des gains significatifs, en considérant le marché actuel et/ou projeté de ces applications.
• De comparer au moyen de simulation TCAD et SPICE, ainsi que de mesures expérimentales de dispositifs de test, les performances estimées de composants Diamant et GaN industrialisables, dimensionnés pour ces applications, en comparaison du SiC et Si.
• De proposer une roadmap pour le développement de ces technologies.

Pourquoi rejoindre notre équipe ? Nous vous proposons :

• Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
• Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles,
• Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
• Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
• Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,
• Une politique diversité et inclusion,
• Des restaurants d'entreprise,
• Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles,
• Une épargne abondée par le CEA.

Applicant Profile

Vous devez avoir obtenu un PhD dans le domaine des semiconducteurs. Une formation ou expérience dans le domaine de la physique des semiconducteurs grand gaps et/ou dans l’électronique de puissance est demandée. Également, une expérience avec un logiciel de simulations TCAD ainsi que dans la caractérisation électrique de composants est souhaitée.

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation, rejoignez-nous!

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Bac+8 - Doctorat scientifique

PhD dans le domaine des semiconducteurs

Position start date