ALTERNANCE - ingénieur.e R&D M/F

TN France; Rousset-Serre-Ponçon; Sur place; EUR 30 000 - 50 000; Plein temps

Résumé du poste

Une opportunité passionnante s'offre à vous dans un environnement technologique d'excellence, où vous participerez à des projets innovants dans le domaine des mémoires non volatiles et RFID. En tant qu'alternant ingénieur R&D, vous serez intégré à une équipe dynamique, travaillant sur des technologies de pointe. Ce rôle vous permettra de développer vos compétences en physique des semi-conducteurs et en techniques de caractérisation, tout en contribuant à des solutions durables. Rejoignez une entreprise qui valorise la diversité et l'inclusion, et participez à des projets qui feront une différence dans le monde de la microélectronique.

Qualifications

• Inscription en master ou école d'ingénieur en physique des semi-conducteurs.
• Connaissances en matériaux et procédés de fabrication de transistors MOS.

Responsabilités

• Réaliser des études bibliographiques et des plans d'expérience.
• Caractériser physiquement et électriquement les dispositifs et matériaux.

Connaissances

Physique des semi-conducteurs

Techniques de caractérisation

Travail en équipe

Rédaction de rapports

Formation

Master I ou II en Physique des semi-conducteurs

École d’ingénieur en matériaux

Outils

CAO (TCAD)

Description du poste

ALTERNANCE - ingénieur.e R&D M/F, Rousset

Chez ST, nous sommes 50 000 hommes et femmes créateurs et fabricants de technologies microélectroniques. Nous collaborons avec 200 000 clients et des milliers de partenaires. Ensemble, nous concevons et créons des produits, des solutions et des écosystèmes pour relever leurs défis et promouvoir un monde plus durable. Nos technologies de pointe favorisent une mobilité plus intelligente, une gestion efficace de l’énergie, la puissance, et le déploiement à grande échelle de l’Internet des objets (IoT) et de la 5G.

ST est certifié Top Employers France 2023, ce qui reconnait notre engagement en matière d’intégration, d’inclusion, d’égalité des chances, d’employabilité et de qualité de vie au travail.

En rejoignant STMicroelectronics, vous participerez à des projets collectifs transverses, notamment à travers le programme YES (Young Explorer Student), qui vous permettra de contribuer à des projets sur nos sites. C’est une occasion unique de vous impliquer dans la vie de ST, de vivre des projets collectifs et de partager avec vos pairs.

Dans le cadre du développement de nouvelles technologies de mémoires non volatiles (NVM) et de produits RFID, vous participerez au développement de procédés d’intégration et de fabrication. Vous mènerez des études pour améliorer les solutions existantes et effectuerez un travail exploratoire pour l’intégration de nouvelles architectures et matériaux. Les dispositifs développés seront intégrés dans les futures générations de produits utilisant de grandes densités de mémoire ou de capacités.

Sur le site de Rousset, vous serez rattaché(e) au service R&D et intégré(e) dans l’équipe « process integration », aux côtés d’autres stagiaires et doctorants.

Dans un premier temps, vous étudierez la plateforme technologique (mémoires NVM, dispositifs capacitifs…) pour comparer nos dispositifs à l’état de l’art. Ensuite, vous réaliserez des essais d’intégration de nouveaux matériaux ou procédés de fabrication sur des plaques de silicium. La modélisation par CAO (TCAD) pourra être utilisée pour simuler ces essais. L’objectif est d’améliorer les dispositifs existants pour ouvrir la voie à des applications innovantes telles que les mémoires émergentes.

Pour atteindre ces objectifs, vous devrez :

• Réaliser une étude bibliographique.
• Mettre en place un plan d’expérience, suivre les essais, puis caractériser et synthétiser les résultats.
• Caractériser physiquement et électriquement les dispositifs et matériaux mis en œuvre.
• Communiquer en français ou en anglais avec différents interlocuteurs (équipe d’intégration, production, caractérisation, support process) pour coordonner les essais, suivre leur progression et analyser les résultats.

Profil recherché :

• Inscrit(e) en master I ou II, ou en 2ème ou 3ème année d’école d’ingénieur en physique des semi-conducteurs, matériaux ou microélectronique.
• Connaissance en physique des semiconducteurs et/ou des matériaux.
• Connaissance de base des procédés de fabrication de transistors MOS.
• Connaissance de base des techniques de caractérisation physique et électrique.
• Aptitudes au travail en équipe, au suivi de projets et à la communication.
• Capacité à rédiger un rapport.

Le site de Rousset, avec plus de 3000 salariés de 30 nationalités différentes, offre un environnement technologique d’excellence, respectueux de l’environnement et favorable à la qualité de vie. Situé au pied de la Sainte Victoire, à proximité d’Aix-en-Provence et de Marseille, il propose de nombreuses perspectives d’évolution interne.

Nous sommes 50 000 personnes dans 40 pays, représentant 118 nationalités. Notre diversité est une force, et nous croyons que chacun a un rôle à jouer dans l’inclusion et la création d’un lieu de travail équitable et épanouissant. Nous travaillons chaque jour pour réaliser tout votre potentiel au sein de notre entreprise.