ALTERNANCE - Ingénieur.e R&D Analyse de performances électriques M/F

TN France; Rousset-Serre-Ponçon; Sur place; EUR 25 000 - 35 000; Plein temps

Résumé du poste

Une entreprise innovante recherche un alternant en ingénierie R&D pour analyser les performances électriques de nouveaux composants. Vous serez intégré à une équipe dynamique, où vous aurez l'opportunité d'apprendre et de contribuer à des projets passionnants liés aux mémoires non volatiles et aux dispositifs RFID. Ce poste vous permettra d'acquérir une expérience précieuse dans un environnement collaboratif, tout en développant vos compétences en physique des semi-conducteurs et en caractérisation des dispositifs. Rejoignez une équipe qui valorise la diversité et l'inclusion, et participez à des projets qui façonnent l'avenir de la technologie.

Qualifications

• Inscrit(e) en master ou école d’ingénieur en physique des semi-conducteurs.
• Connaissances en physique des semiconducteurs et composants électroniques.

Responsabilités

• Effectuer des analyses d'acceptation et des caractérisations électriques.
• Analyser les performances des composants et identifier les défaillances.

Connaissances

Physique des semi-conducteurs

Caractérisation physique / électrique

Travail en équipe

Rédaction de rapport

Formation

Master I & II en physique des semi-conducteurs

École d’ingénieur en microélectronique

Outils

CAO (TCAD)

Description du poste

ALTERNANCE - Ingénieur.e R&D Analyse de performances électriques M/F, Rousset

Chez ST, nous sommes 50 000 hommes et femmes créateurs et fabricants de technologies microélectroniques.
Nous collaborons avec 200 000 clients et des milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des produits et des solutions qui répondent à leurs défis et à la nécessité de contribuer à un monde plus durable. Nos technologies de pointe permettent une mobilité plus intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie, de la puissance et un déploiement à grande échelle de l’Internet des objets (IoT) et de la 5G.

ST a reçu les certifications Top Employer France et HappyTrainees 2024. Elles nous reconnaissent en tant qu’employeur de référence et démontrent notre engagement à faire de l’humain une priorité.

En intégrant STMicroelectronics, vous aurez l’opportunité de participer à des projets collectifs transverses au-delà de votre mission en tant que tel. Ce programme, intitulé YES (Young Explorer Students), vous permettra de contribuer à des projets site. C’est l’occasion unique de vous impliquer dans la vie de ST, de vivre des projets collectifs et de partager avec vos pairs.

Dans le cadre du développement de nouvelles technologies de type mémoires non volatiles (NVM) et de produits RFID, vous participerez à l'analyse paramétrique des performances électriques. Cela consiste à vérifier les principaux points de fonctionnement de nos nouveaux composants, identifier les dérives et analyser les défaillances.

Sur le site de STMicroelectronics de Rousset, vous serez rattaché(e) au service R&D et intégré(e) dans l’équipe « process integration » parmi d’autres alternant.s, stagiaires et doctorants.

Dans un premier temps, vous étudierez la plateforme technologique (mémoires NVM, dispositifs capacitifs…) pour vous permettre de réaliser une comparaison entre nos dispositifs. Dans un second temps, vous réaliserez des analyses fines et vous approfondirez cela par des caractérisations électriques et autres analyses de défaillances. La modélisation par CAO (TCAD) pourra être utilisée pour modéliser ces problématiques. Le but sera d’améliorer les dispositifs existants, ouvrant la voie à des applications innovantes telles que les mémoires émergentes.

Vous serez amené(e) pour remplir cet objectif à :
- Effectuer des analyses d'acceptation
- Réaliser des analyses fines de la performance de nos composants
- Faire des caractérisations physiques et électriques des dispositifs
- Communiquer, en français ou en anglais, avec de nombreux interlocuteurs (équipe intégration, production, caractérisation, support process…).

Profil recherché :

• Inscrit(e) en master I & II ou 2ème & 3ème année d’école d’ingénieur en physique des semi-conducteurs ou microélectronique.
• Connaissance en physique des semiconducteurs et/ou des composants électroniques.
• Connaissance basique des procédés de fabrication d’un transistor MOS.
• Connaissance basique des techniques de caractérisation physique / électrique.
• Capacités de travail en équipe, suivi de projets, communication.
• Rédaction de rapport et esprit de synthèse.

Le site de Rousset compte 3000 salariés. Notre site propose une large palette de métiers offrant de nombreuses perspectives d’évolution interne. Situé au pied de la Sainte Victoire, à 20 km d’Aix-en-Provence et 40 km de Marseille, il allie excellence technologique, respect de l’environnement et qualité de vie.

Nous rassemblons 50 000 personnes dans 40 pays, représentant 118 nationalités.

Tous ensemble, nous formons une seule et même ST.

La diversité fait partie intégrante de ce que nous sommes et faisons. Nous sommes convaincus que nous sommes tous des acteurs de l'inclusion et que nous devons apprendre à voir le monde à travers le regard des autres. Nous travaillons chaque jour pour créer un lieu de travail plus équitable et inclusif, où chacun peut réaliser son potentiel.