Wissenschaftler (all genders) - GaN-Technologie / Hochfrequenzelektronik

Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF; Freiburg im Breisgau; Vor Ort; EUR 55.000 - 75.000; Vollzeit

Zusammenfassung

Ein führendes Forschungsinstitut in Deutschland sucht einen Mitarbeiter zur Prozessierung von Wafern für mikroelektronische Bauelemente. Sie entwickeln innovative Prozesse zur Verbesserung der Leistung und Zuverlässigkeit in der GaN-Elektronik. Voraussetzungen sind ein Hochschulabschluss und Erfahrung in der Halbleitertechnologie sowie hervorragende Deutsch- und Englischkenntnisse. Diese Position bietet die Möglichkeit, an nationalen und internationalen Forschungsprojekten mitzuwirken.

Qualifikationen

• Abgeschlossenes Studium in Physik, Elektrotechnik oder Mikrosystemtechnik.
• Erfahrung in GaN-Elektronik und Materialwissenschaften.
• Idealerweise Erfahrung in Projektakquise und -leitung.

Aufgaben

• Entwicklung von Prozessen zur Verbesserung der Bauelementeigenschaften.
• Akquise und Steuerung von nationalen/internationalen Forschungsprojekten.
• Vorantreiben innovativer Projekte interdisziplinär.

Kenntnisse

Erfahrung in der Halbleitertechnologie

Teamfähigkeit

Kommunikationsstärke

Selbstständige Arbeitsweise

Verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse

Ausbildung

Master/Diplom in Physik, Elektrotechnik oder Mikrosystemtechnik

Jobbeschreibung

Overview

Aufgaben: In der Abteilung Technologie arbeiten wir an der Prozessierung von Wafern zur Herstellung mikroelektronischer Bauelemente und Schaltungen für Anwendungen in der Hochfrequenztechnik und Leistungselektronik auf Basis des Halbleitermaterials GaN. Gemeinsam mit Ihren Kolleg*innen entwickeln Sie Prozesse zur Verbesserung der Bauelementeigenschaften, insbesondere hinsichtlich Leistungsdichte, Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit. In Zusammenarbeit mit den Abteilungen Epitaxie und Mikroelektronik akquirieren und steuern Sie nationale sowie internationale Forschungs- und Entwicklungsprojekte. Sie treiben innovative Projekte voran und arbeiten interdisziplinär, um zukunftsweisende Lösungen zu entwickeln.

Responsibilities

• Gemeinsam mit Ihren Kolleg*innen entwickeln Sie Prozesse zur Verbesserung der Bauelementeigenschaften, insbesondere hinsichtlich Leistungsdichte, Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit.
• In Zusammenarbeit mit den Abteilungen Epitaxie und Mikroelektronik akquirieren und steuern Sie nationale sowie internationale Forschungs- und Entwicklungsprojekte.
• Sie treiben innovative Projekte voran und arbeiten interdisziplinär, um zukunftsweisende Lösungen zu entwickeln.

Qualifications

• Abgeschlossenes Hochschulstudium (Master/Diplom) in Physik, Elektrotechnik oder Mikrosystemtechnik, idealerweise mit Promotion
• Erfahrung in der Halbleitertechnologie, insbesondere in der GaN-Elektronik sowie Kenntnisse in Materialwissenschaften und der Funktionsweise elektronischer Halbleiterbauelemente
• Idealerweise: Erfahrung in Akquise und Leitung von Projekten
• Selbstständige Arbeitsweise mit der Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten
• Teamfähigkeit, Kommunikationsstärke und Spaß an experimenteller Arbeit
• Verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse