Post Doctorant IRL Georgia Tech - CNRS en croissance de couches phase vapeur aux organométalliq[...]

CNRS; Metz; Sur place; EUR 40 000 - 60 000; Plein temps

Résumé du poste

Une institution de recherche en France (Metz) propose un poste de Post Doctorant pour développer des méthodes de croissance de couches épaisses de GaN pour des applications en électronique de puissance. Les candidats doivent avoir un doctorat en ingénierie, physique ou science des matériaux, avec une expérience en épitaxie MOVPE. Ce poste offre un contrat de 12 mois à temps complet avec une rémunération de 3041,58 € bruts mensuels selon l'expérience.

Qualifications

• Doit être titulaire d'un doctorat dans un domaine pertinent.
• Expérience en Épitaxie MOVPE requise.
• Compétences en caractérisations souhaitées.

Responsabilités

• Développer des méthodes pour la croissance de couches épaisses de GaN.
• Étudier la croissance de couches épaisses de GaN par épitaxie MOVPE.
• Examinez différents paramètres de croissance.

Connaissances

Épitaxie MOVPE

Caractérisations

Ingénierie

Physique

Science des matériaux

Formation

Doctorat en ingénierie, en physique ou en science des matériaux

Description du poste

Post Doctorant IRL Georgia Tech - CNRS en croissance de couches phase vapor aux organométalliques (MOVPE) H/F

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Date Limite Candidature : mardi 9 décembre 2025 23:59:00 heure de Paris
Assurez-vous que votre profil candidat soit correctement renseigné avant de postuler

Informations générales

Intitulé de l'offre : Post Doctorant IRL Georgia Tech - CNRS en croissance de couches phase vapeur aux organométalliques (MOVPE) H/F
Référence : IRL2958-CRICOR-037
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : METZ
Date de publication : mardi 18 novembre 2025
Type de contrat : Chercheur en contrat CDD
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 16 décembre 2025
Quotité de travail : Complet
Rémunération : 3041.58 € bruts mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : Indifférent
Section(s) CN : 08 - Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Missions

Ce poste postdoctoral s'inscrit dans le cadre du projet Carnot . L'objectif de ce projet est de développer une méthode novatrice pour la croissance et le transfert de couches épaisses de nitrure de gallium (GaN) sur des substrats métalliques, pour des applications en électronique de puissance.

Activités

La croissance de GaN sur des substrats d'Al2O3 ou de Si entraîne des couches fortement contraintes et contenant de nombreux défauts. Par conséquent, une approche différente est proposée, consistant à utiliser des pseudo-substrats de hBN/Al2O3 pour la croissance de couches épaisses de GaN et leur transfert sur des substrats métalliques.
L'objectif de ce poste est d'étudier la croissance de couches épaisses de GaN par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOVPE) sur des pseudo-substrats de hBN/Al2O3. Le candidat examinera différents paramètres de croissance ainsi que la contrainte dans les couches épitaxiées.

Compétences

Le candidat idéal doit être titulaire d'un doctorat en ingénierie, en physique ou en science des matériaux, avec une expérience en Épitaxie MOVPE et caractérisations.

Contexte de travail

IRL 2958 Georgia Tech - CNRS
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Contraintes et risques

• Travail dans un environnement bilingue
• Travail Experimental en manipulant des gaz neutre (H2 et N2) et actifs (Organometalliques, Hydrures)