Étude et simulation des phénomènes CEM dans les modules de puissance SiC/GaN haute fréquence

IFP Energies Nouvelles Group; Rueil-Malmaison; On-site; EUR 10,000 - 15,000; Full time

Job summary

IFP Energies Nouvelles Group est à la recherche d’un stagiaire pour étudier les phénomènes CEM dans les modules SiC/GaN haute fréquence et proposer des outils de modélisation et de simulation. Le stage se déroule en Île-de-France, avec une équipe dédiée à l’électronique de puissance WBG.

Vous réaliserez une étude bibliographique, modéliserez les effets CEM, et validerez les modèles par simulation, puis rédigerez un rapport complet.

Qualifications

• Étudiants en écoles d'ingénieurs ou Master 2 en génie électrique / électronique de puissance.
• Connaissances basiques en CEM et en traitement de signal souhaitées.
• Maîtrise des outils de simulation et de modélisation des phénomènes électriques.

Responsibilities

• Réaliser une étude bibliographique des problèmes CEM dans les composants WBG et systèmes électroniques de puissance.
• Modéliser le phénomène CEM dans les composants de puissance à base WBG.
• Vérification et validation des modèles par simulation.
• Rédiger un rapport de stage synthétique et détaillé.

Skills

Matlab/Simulink

LTspice

CEM

GaN/SiC

Teamwork

Education

École d'ingénieurs / Master 2

Tools

LTspice

Job description

Étude et simulation des phénomènes CEM dans les modules de puissance SiC/GaN haute fréquence

Avec le développement des composants de puissance à base de matériaux à large bande interdite «WBG», tels que le SiC et le GaN, le domaine de l’électronique de puissance connaît une révolution technologique. Leur intégration permet la conception de convertisseurs plus compacts fonctionnant sous des contraintes de température, de fréquence et de puissance plus élevées.

Cependant, ces composants créent de nouvelles contraintes en compatibilité électromagnétique (CEM), en raison des conditions de haute fréquence de commutation et fortes valeurs de dv/dt nettement supérieures à celles observées avec les composants conventionnels en silicium (Si). La prise en compte de ces contraintes dès la phase de conception des convertisseurs, via l’estimation des perturbations électromagnétiques conduites et rayonnées par simulation, peut permettre d’importants gains de temps et de coûts en réduisant les phases d’essais.

Ce stage a pour objectif de mieux comprendre le comportement électromagnétique des composants SiC/GaN et à proposer des outils de modélisation et de simulation contribuant à la conception de convertisseurs de puissance plus performants et conformes aux exigences CEM.

Missions:

• Réaliser une étude bibliographique des problèmes CEM dans les composants WBG et dans les systèmes électroniques de puissance à base de SiC/GaN
• Modéliser du phénomène CEM dans les composants de puissance à base WBG.
• Vérification et validation des modèles par simulation
• Rédiger un rapport de stage synthétique et détaillé.

Perspectives:

Ce stage pourra déboucher sur un projet thèse visant à approfondir l’expérimentation et la modélisation des phénomène CEM dans les convertisseurs de puissance à base WBG.

Profil recherché :

Étudiants d’écoles d’ingénieurs ou Master 2 en génie électrique / électronique de puissance.

• Maîtrise des outils de simulation (Matlab/Simulink, LTspice...).
• Notion en CEM et traitement de signal appréciées
• Notions en semi-conducteurs grand gap (GaN, SiC)
• Dynamique, force de proposition et capable de travailler en équipe

Mots-clefs: Électronique de puissance, Compatibilité électromagnétique, CEM, WBG, SiC, GaN