RF Design Ingenieur

indie Germany GmbH; Frankfurt (Oder); On-site; EUR 70,000 - 120,000; Full time

Job summary

indie Germany GmbH treibt die Autotech-Revolution mit wegweisenden Halbleiter- und Softwareplattformen voran. Wir arbeiten an Edge-Sensoren wie LiDAR, Radar und Bildverarbeitungssystemen für ADAS und autonomes Fahren.

Für diese Position suchen wir einen erfahrenen RF/mmWave-IC-Designer mit Masterabschluss in Elektronik oder Mikroelektronik, idealerweise mit PhD, mindestens 3 Jahren Industrieerfahrung und vertieften Kenntnissen in Cadence, EMX, RFpro, PathWave und HFSS.

Qualifications

• Masterabschluss in Elektronik/Mikroelektronik, 3+ Jahre RF/mmWave-IC-Design.
• PhD von Vorteil.
• Umfangreiche Kenntnisse im Design integrierter RF-Schaltungen über 10 GHz.
• Erfahrung im Design von mmWave-Schaltungen: Verstärker, PAs, Phasenrotatoren, LNAs.
• Verifikationstools wie Cadence, EMX, RFpro, PathWave, HFSS/CST beherrscht.

Responsibilities

• Entwicklung und Layout von RF/mmWave-Schaltungen über 10 GHz.
• Enge Zusammenarbeit mit System, Application, Software, RF-Labor und ATE.
• Charakterisierung und Debugging der Schaltungen im RF-Labor.

Skills

RF/mmWave Design

Teamfähigkeit

Analytisches Denken

Projektorientierung

Education

Masterabschluss in Elektronik/Mikroelektronik, 3+ Jahre Industrieerfahrung

PhD von Vorteil

Tools

Cadence

EMX

RFpro

PathWave

HFSS

CST

Job description

Möchten Sie Teil eines kreativen, schnell wachsenden und unternehmerischen Umfelds werden?

indie treibt die Autotech-Revolution mit wegweisenden Automobil-Halbleitern und Softwareplattformen der nächsten Generation voran. Unser Fokus liegt auf Edge-Sensoren: von LiDAR, Radar und Ultraschall bis hin zu Bildverarbeitungssystemen für Fahrerassistenzsysteme (ADAS), autonome Fahrzeuge, Connected Cars sowie Anwendungen in den Bereichen User Experience und Elektrifizierung.

Ihre Aufgaben:

• Entwicklung und Design von integrierten Hochfrequenzschaltungen (RF/HF) im Bereich der Radartechnologie
• Fokus auf Schaltungsentwicklung in den Frequenzbereichen 24 GHz, 60 GHz und 120 GHz
• Enge Zusammenarbeit mit fachübergreifenden Teams (u. a. System, Application, Software, RF-Labor und ATE)
• Durchführung und Unterstützung bei der Charakterisierung sowie dem Debugging der entwickelten Schaltungen im RF-Labor

Anforderungen:

Uns ist es wichtig, dass Sie gerne Teil einer Organisation sind, in der jede*r Einzelne etwas bewegen und zum Erfolg des Unternehmens beitragen kann. Kreativität, Eigenverantwortung und Spitzenleistung sind die Werte, die wir schätzen.

Die folgenden Fähigkeiten und Kenntnisse zeichnen unseren Idealkandidaten aus. Aber wir wissen auch: Niemand ist perfekt! Schließlich soll Ihnen Ihr neuer Job die Möglichkeit bieten, zu wachsen.

• Erfolgreich abgeschlossenes Masterstudium der Ingenieurwissenschaften im Bereich Elektronik oder Mikroelektronik sowie mindestens 3 Jahre Industrieerfahrung im Design von RF-/mmWave-ICs erforderlich
• Eine Promotion (PhD) ist von Vorteil
• Umfangreiches theoretisches und praktisches Wissen im Design integrierter Schaltungen in siliziumbasierten Technologien, insbesondere für integrierte RF-Schaltungen bei Frequenzen über 10 GHz
• Nachweisbare Erfahrung im Design von mmWave-Schaltungen, einschließlich Verstärkern (Amplifiers), Leistungsverstärkern (PAs), Phasenrotatoren, Splittern/Combinern, rauscharmen Verstärkern (LNAs), Frequenzvervielfachern usw.
• Fundierte Kenntnisse in der analogen und RF-Schaltungssimulation auf Transistorebene, im Layout-Design sowie in Verifizierungstools wie Cadence, EMX, RFpro, PathWave, HFSS, CST
• Grundlegendes Verständnis von Halbleitertechnologien und Fertigungsprozessen erforderlich
• Vertrautheit mit Messaufbauten und der Charakterisierung von RF-Komponenten (z. B. VNA, Spektrumanalysator, Oszilloskop, Signalgenerator)