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Un institut de recherche en France recherche un ingénieur(e) en procédés de porosification de semi-conducteurs. Le poste implique le développement de procédés électrochimiques et plasma pour améliorer la qualité des matériaux semi-conducteurs. Les candidats doivent avoir un Master en génie mécanique ou science des matériaux, avec une expérience de 5 à 10 ans. Salaire proposé est de 2800 euros brut par mois. Contrat à durée déterminée de 12 mois.
Portail > Offres > Offre IRL3463-HASMAH-006 - Ingénieur(e) en procédés de porosification de semi-conducteurs (H/F)
Date Limite Candidature : jeudi 4 décembre 2025 23:59:00 heure de Paris
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Dans le cadre des activités de recherche en cours au LN2, l’équipe recrute un(e) ingénieur(e) spécialisé(e) en porosification de semi-conducteurs. Le projet porte sur le développement et l’optimisation de procédés électrochimiques et plasma pour la porosification de matériaux semi-conducteurs tels que le silicium et le germanium, ainsi que sur la caractérisation structurale et optique des couches obtenues. L’objectif est d’améliorer la reproductibilité et la qualité des nanostructures pour des applications en optoélectronique et en intégration hétérogène.
Ce poste conviendrait particulièrement à un profil d’ingénieur mécanique expérimenté ayant déjà conçu et validé des systèmes expérimentaux complexes, souhaitant évoluer vers des procédés appliqués aux semi-conducteurs.
Le LN2, Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes, est un organisme de recherche associant l'Université de Sherbrooke (Canada) et le Centre National de la Recherche Scientifique, CNRS (France) ainsi que l'INSA de Lyon, l'École Centrale de Lyon (ECL) et l'université Grenoble Alpes (UGA) sous le statut d’IRL (International Research Laboratory / IRL 3463).