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Un laboratoire de recherche en sciences recherche un(e) Ingénieur·e en optoélectronique quantique intégrée basé à Paris. Le rôle implique le développement de dispositifs AlGaAs/SOI pour manipuler des états quantiques, en collaboration avec des chercheurs à la pointe de la technologie. Un Master en Ingénierie Physique est requis, ainsi qu'une solide expérience en photonique. Le poste est en CDD de 3 mois avec des responsabilités dans un environnement de recherche dynamique.
Portail > Offres > Offre UMR7162-NATMER0-033 - Ingénieur·e en optoélectronique Quantique Intégrée H/F
Date Limite Candidature : mardi 6 janvier 2026 23:59:00 heure de Paris
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L'Ingénieur·e en optoélectronique quantique intégrée sera amené.e à développer des dispositifs AlGaAs/SOI à semi-conducteurs intégrés pour la génération et la manipulation d'états quantiques de la lumière ou des circuits photoniques quantiques plus complexes.
Le projet vise à pousser plus loin les fonctionnalités des dispositifs AlGaAs développés par l'équipe Information et Technologie Quantiques en termes d'injection électrique dans des dispositifs monolithiques et hybrides (AlGaAs/SOI), pour la manipulation d'états quantiques dans des guides d'ondes simples ou des circuits photoniques quantiques plus complexes, ouvrant ainsi la porte à des applications en communication, informatique et métrologie quantiques.
L'équipe Information Quantique et Technologies du Laboratoire Matériaux et Phénomènes Quantiques (UMR7162) recrute un ingénieur hautement qualifié pour travailler dans le domaine de la photonique quantique intégrée non-linéaire. Le candidat retenu travaillera dans un environnement de recherche hautement collaboratif, aura accès à des équipements de pointe pour la fabrication et la caractérisation de dispositifs, et contribuera au développement de nouveaux dispositifs optoélectroniques avec des applications dans les technologies quantiques.
L'équipe a une forte visibilité à l’international dans le développement de dispositifs semi-conducteurs pour la génération et la manipulation d'états quantiques de la lumière, qui exploitent des degrés de liberté discrets et continus de la lumière. Le matériau exploité, l'AlGaAs, présente plusieurs atouts dans le paysage des plates-formes pour la photonique quantique intégrée, qui ont été exploités pour atteindre plusieurs résultats clés : bande interdite directe permettant l'intégration monolithique du laser de pompe et du SPDC interne, techniques de fabrication matures pour le développement de circuits photoniques quantiques, forte non-linéarité de second ordre conduisant à des taux de génération de paires élevés, grande polyvalence dans l'ingénierie de l'état biphotonique, utilisation des dispositifs dans plusieurs protocoles d'information quantique.
Risques liés à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs en salle blanche et à des expériences d'optique utilisant des lasers de classe IV. Les travaux seront réalisés dans le respect des règles d'hygiène et de sécurité de l'UMR 7162.