Ingeniero/a RF y Microondas I+D (Defensa)

Indra Group; Pontevedra; Presencial; EUR 45.000 - 65.000; Jornada completa

Ventajas ofrecidas por este puesto de trabajo

Estabilidad laboral

Formación continua

Descuentos para bienestar

Plan de carrera

Remuneración competitiva

Ambiente colaborativo

Descripción de la vacante

Indra Group busca Ingeniero/a de RF y Microondas para su equipo de I+D en proyectos de defensa. Participará en el desarrollo de soluciones avanzadas para aplicaciones de alta tecnología, analizando requisitos, definiendo arquitecturas RF y diseñando MMICs, con simulaciones y pruebas en entornos de laboratorio y de prueba.

Se valorará experiencia en GaN y semiconductores III-V, más de 2 años en roles similares, y motivación para innovar en sistemas de RF complejos junto a un equipo internacional.

Formación

• Titulación mínima: Grado o Máster en Ingeniería de Telecomunicación, Electrónica o similar.
• Más de 2 años de experiencia en RF yMicroondas.
• Experiencia en análisis de requisitos y definición de arquitecturas RF.
• Conocimientos en diseño de componentes y módulos de RF y microondas (MMICs).
• Manejo de simulación electromagnética, térmica y de señal.
• Experiencia en integración y pruebas de sistemas de RF.

Responsabilidades

• Analizar requisitos técnicos y especificaciones de sistema.
• Definir arquitecturas de RF para nuevos desarrollos.
• Diseñar módulos y componentes de RF y microondas (MMICs).
• Realizar simulaciones electromagnéticas, térmicas y de señal.
• Participar en la integración y validación de sistemas de RF.
• Diseñar y ejecutar pruebas para verificar rendimiento.

Conocimientos

RF diseño

Arquitecturas RF

MMICs

Simulaciones EM

Integración RF

Pruebas RF

Educación

Grado/Maestría en Ingeniería de Telecomunicaciones/ Electrónica

Descripción del empleo

Indra Group busca Ingeniero/a de RF y Microondas para su equipo de I+D en proyectos de defensa. Participará en el desarrollo de soluciones avanzadas para aplicaciones de alta tecnología, analizando requisitos, definiendo arquitecturas RF y diseñando MMICs, con simulaciones y pruebas en entornos de laboratorio y de prueba.

Se valorará experiencia en GaN y semiconductores III-V, más de 2 años en roles similares, y motivación para innovar en sistemas de RF complejos junto a un equipo internacional.