Wissenschaftler*in im Bereich Kristallzüchtung von III/V Halbleitern

Fraunhofer-Gesellschaft; Ettlingen; Vor Ort; EUR 40.000 - 60.000; Vollzeit

Zusammenfassung

Ein führendes Forschungsinstitut in Ettlingen sucht einen Experten für die Kristallzüchtung von III/V Halbleiterschichten. Sie werden in der Forschung und Entwicklung innovativer Lasermaterialien und -systeme arbeiten. Ein abgeschlossenes Studium der Physik oder verwandten Fachrichtungen sowie umfassende Erfahrungen in III/V Epitaxie sind erforderlich. Die Stelle bietet einen spannenden Arbeitsplatz an der Schnittstelle zwischen Wissenschaft und Industrie.

Leistungen

Individuelle Karrierepfade und Fortbildungsmöglichkeiten

Optimale Bedingungen zur Vereinbarkeit von Beruf und Privatleben

Moderne Laborausstattung

Flexible Arbeitszeiten

Qualifikationen

• Abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium der Physik, Chemie oder Elektrotechnik.
• Langjährige Erfahrung in III/V Epitaxie.
• Fortgeschrittene Kenntnisse in Halbleiter-Prozesstechnik.
• Grundkenntnisse im Bereich der Laserphysik sind von Vorteil.
• Sehr gute Deutsch- und Englischkenntnisse in Wort und Schrift.

Aufgaben

• Entwicklung und Optimierung von Züchtungsverfahren zur Kristallzüchtung.
• Erforschung des Kristallwachstums mithilfe spezieller Methoden.
• Optimierung von Verfahren zur Kristallbearbeitung.
• Verfassen von Dokumentationen und Publikationen in Englisch und Deutsch.

Kenntnisse

Langjährige Erfahrung in III/V Epitaxie

Fortgeschrittene Kenntnisse in Halbleiter-Prozesstechnik

Sehr gutes Deutsch (B2/C1 Niveau)

Sehr gutes Englisch (mindestens B2 Niveau)

Ausbildung

Diplom/Master/Promotion in Physik, Chemie, Elektrotechnik

Tools

MOCVD Technik

HVPE Technik

Röntgendiffraktometrie

Spektroskopie

Jobbeschreibung

Technologien für morgen gestalten: Das ist unsere Mission am Fraunhofer-Institut für Optronik, Systemtechnik und Bildauswertung IOSB. Wir betreiben grundlegende und anwendungsnahe Forschung in den Themenfeldern Lasertechnologie, Photonik, bildgebende Sensorsysteme und vieles mehr. Unsere Expertise reicht von den physikalischen Grundlagen der Optik und Photonik bis zur Datenauswertung mittels KI für verschiedenste Anwendungsdomänen. Wo Forschung auf Praxis trifft, beginnt Veränderung – und genau hier gestalten wir gemeinsam die Zukunft.

Die Stelle ist in unserer Gruppe Lasertechnologie angesiedelt, die sich mit Forschung und Entwicklung spezifischer photonischer Materialien und Komponenten, speziellen Laserquellen und nichtlinearen Konvertern sowie der Optimierung von Lasersystemen im NIR, SWIR, MWIR und LWIR Bereich für unterschiedliche Anwendungsfelder befasst.

Sie interessieren sich für die Züchtung dicker Kristallschichten auf Wafern mittels verschiedener Methoden der Gasphasenepitaxie und möchten die Forschung und Entwicklung in diesem Bereich vorantreiben? Sie möchten an Projekten mitwirken, die die Sicherheit unseres Landes unterstützen? Dann bewerben Sie sich bei uns und ergreifen Sie die Chance, im dynamischen Forschungsumfeld eines renommierten Instituts mitzuarbeiten!

Was Sie bei uns tun

• Sie entwickeln, untersuchen und optimieren Züchtungsverfahren zur Kristallzüchtung von dicken III/V Halbleiterschichten (GaAs, GaP) unter Erhalt spezifisch orientierter Domänenstrukturen mittels Gasphasenepitaxie für laseroptische Anwendungen.
• Sie erforschen das Kristallwachstum mittels speziell angepassten Untersuchungsmethoden für die Analytik von Kristallen u.a. im Bereich der Spektroskopie und Röntgendiffraktometrie.
• Sie optimieren Verfahren zur Kristallbearbeitung mit dem Ziel, leistungsfähigere Bauteile mit optischen Oberflächen für die Entwicklung neuartiger Laserquellen möglich zu machen.
• Das Verfassen von Dokumentationen, Berichten und Publikationen in englischer und deutscher Sprache gehört ebenfalls zu Ihrem Arbeitsalltag

Was Sie mitbringen

• Ein abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Diplom/Master/Promotion) der Physik, Chemie, Elektrotechnik, Kristallographie, oder vergleichbarer Fachrichtungen
• Langjährige Erfahrung in III/V Epitaxie, insbesondere in der MOCVD oder HVPE Technik, sowie in der Bearbeitung und Handling (Ätzen, Cleaven, Polieren) von III/V-Wafern.
• Fortgeschrittene Kenntnisse in Halbleiter-Prozesstechnik sowie zugehörigen Analytik-Methoden (Röntgenbeugung, Spektroskopie, SIMS).
• Grundkenntnisse im Bereich der Laserphysik oder nichtlinearer Optik sind von Vorteil.
• Sie begeistern sich für die wissenschaftliche Arbeit möchten jedoch Ihre Forschungsergebnisse auch in den praktischen Einsatz überführen
• Sehr gutes Deutsch (B2/C1 Niveau) und sehr gutes Englisch (mindestens B2 Niveau) in Wort und Schrift runden Ihr Profil ab

Was Sie erwarten können

• Eine abwechslungsreiche, spannende Tätigkeit an der Schnittstelle zwischen Wissenschaft und Wirtschaft, zwischen Gegenwart und Zukunft
• Großen Freiraum zur Entfaltung und zum selbstbestimmten Vorantreiben von Themen und Projekten in einer expandierenden Abteilung
• Eine weltweit einzigartige Laborausstattung mit modernen, teilweise nicht kommerziell verfügbaren Komponenten und Messeinrichtungen
• Motivierte Kolleg*innen, die sich durch ihre interdisziplinäre und internationale Zusammensetzung gegenseitig inspirieren
• Individuelle Karrierepfade durch umfangreiche Fortbildungs- und Entwicklungsmöglichkeiten (z.B. Förder- und Entwicklungsprogramm »Fraunhofer TALENTA« für Wissenschaftlerinnen und weibliche Führungskräfte)
• Optimale Bedingungen zur Vereinbarkeit von Beruf und Privatleben (flexible Arbeitszeiten, mobiles Arbeiten im Rahmen der Erfordernisse der Stelle, Kita-Platz-Kontingent in Karlsruhe etc.)
• Eine Kantine sowie nahegelegene Einkaufsmöglichkeiten
• Eine sehr gute Anbindung an den ÖPNV sowie ein Zuschuss zum Deutschlandticket

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.

Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle kann auch in Teilzeit besetzt werden. Die Stelle ist zunächst auf 2 Jahre befristet. Eine Verlängerung wird angestrebt. Die Vergütung richtet sich nach der Gesamtbetriebsvereinbarung zur Beschäftigung der Hilfskräfte.

Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft.

Haben wir Ihr Interesse geweckt? Dann bewerben Sie sich jetzt online mit Ihren aussagekräftigen Bewerbungsunterlagen. Wir freuen uns darauf, Sie kennenzulernen!

Fragen zu dieser Position beantworten Ihnen gerne:

Prof. Dr. rer. nat. habil. Marc Eichhorn
Direktor und Bereichsleiter Verteidigung
Telefon: [phone]

Dr. Christelle Kieleck
Abteilungsleiterin LASERTECHNOLOGIE
Telefon: [phone]

Fraunhofer-Institut für Optronik, Systemtechnik und Bildauswertung IOSB

www.iosb.fraunhofer.de

Kennziffer: 81729 Bewerbungsfrist: