Chercheur postdoctorat/Chercheuse postdoctorat

Université de Sherbrooke; Sherbrooke; On-site; CAD 80,000 - 100,000; Full time

Job summary

Une institution de recherche au Canada recrute un(e) étudiant(e) pour travailler sur des circuits CMOS-OxRAM en conditions cryogéniques. Le candidat sera responsable de la fabrication et de la caractérisation de ces circuits, en collaborant avec des chercheurs de renom. Une spécialisation en nanotechnologie ou génie électrique est requise, ainsi qu'une maîtrise du français et de l'anglais.

Qualifications

• Connaissances en nanofabrication, mémoires résistives, calcul en mémoire, mesures cryogéniques.
• Forte capacité d’adaptation, d’autonomie, de travail en équipe et de résolution de problèmes.
• Intérêt prononcé pour la conception et le travail expérimental en salle blanche.

Responsibilities

• Fabriquer des memristors TiO2 sur des circuits CMOS avec des interconnexions supraconductrices.
• Effectuer les caractérisations physico-chimiques et morphologiques des circuits CMOS-OxRAM.
• Étudier les avantages apportés par les interconnexions supraconductrices.
• Démontrer le calcul en mémoire avec un réseau de 8x8 memristors à T° ambiante et cryogénique.

Skills

Nanotechnologie

Génie électrique

Science des matériaux

Mémoires résistives

Calcul en mémoire

Mesures cryogéniques

Travail en équipe

Résolution de problèmes

Education

Spécialisation en nanotechnologie, génie électrique ou science des matériaux

Job description

Environnement de travail : Le projet sera réalisé sous la co-direction des Professeurs Dominique Drouin et Serge Ecoffey au sein de L’IRT-LN2, un « International Research Laboratory » du CNRS. Pr. Fabien Alibart et Pr. Yann Beilliard participeront à l’encadrement en nanofabrication et ingénierie neuromorphique. Le travail sera effectué principalement à l’Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT) et à l’Institut Quantique (IQ) de l’UdeS, en collaboration étroite avec l’entreprise 1QBit.

Le 3IT est un institut unique au Canada, spécialisé dans la recherche et le développement de technologies innovantes pour l’énergie, l’électronique, la robotique et la santé. L’IQ est un institut de pointe ayant pour mission d’inventer les technologies quantiques de demain et de les transférer en milieu industriel. 1QBit est un leader canadien dans le domaine du CQ, de l’IA et de l'informatique de haute performance.

Sujet : Le projet vise à étudier des circuits neuromorphiques compatibles avec les conditions cryogéniques, basés sur des memristors TiO2 (c'est-à-dire OxRAM) et des circuits CMOS interconnectés avec des matériaux supraconducteurs. Cette puce CMOS-OxRAM permettra d'implémenter des méthodes de calibration automatique de BQ en utilisant des réseaux neuronaux de faible puissance directement situés dans le cryostat.

• Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing - ScienceDirect
• Investigation of resistive switching and transport mechanisms of Al2O3/TiO2−x memristors under cryogenic conditions (1.5 K): AIP Advances: Vol 10, No 2 (scitation.org)
• Miniaturizing neural networks for charge state autotuning in quantum dots - IOPscience

La personne recrutée sera en charge de la fabrication de circuits CMOS-OxRAM avec des interconnexions supraconductrices et de la démonstration de calcul en mémoire en conditions cryogéniques.

Les tâches principales incluent :

• fabriquer des memristors TiO2 sur des circuits CMOS avec des interconnexions supraconductrices
• effectuer les caractérisations physico-chimiques et morphologiques des circuits CMOS-OxRAM
• conduire des caractérisations électriques des circuits CMOS-OxRAM à température ambiante et cryogénique
• étudier les avantages apportés par les interconnexions supraconductrices
• démontrer le calcul en mémoire avec un réseau de 8×8 memristors à T° ambiante et cryogénique

Profil recherché :

• Spécialisation en nanotechnologie, génie électrique ou science des matériaux
• Connaissances en nanofabrication, mémoires résistives, calcul en mémoire, mesures cryogéniques
• Forte capacité d’adaptation, d’autonomie, de travail en équipe et de résolution de problèmes
• Intérêt prononcé pour la conception, le travail expérimental en salle blanche, la R&D interdisciplinaire
• Fluent en français et en anglais

Documents à fournir à [e-mail] :
Lettre, CV avec liste de publications et références